发明名称 非易失性存储器及其制造方法
摘要 一种非易失性存储器及其制造方法,其结构有一字符线形成于一衬底上,另外有一捕捉层位于字符线与衬底之间,且有一接触窗位于衬底上方而与字符线电性连接。此外,还有位于衬底中的一接地掺杂区,以及电性连接此接地掺杂区,并通过接触窗电性连接字符线的一金属保护线,其中,金属保护线的阻值高于字符线。
申请公布号 CN1316622C 申请公布日期 2007.05.16
申请号 CN02108435.1 申请日期 2002.03.29
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 郭东政;刘建宏;潘锡树;黄守伟
分类号 H01L27/10(2006.01);H01L27/112(2006.01);H01L21/8246(2006.01) 主分类号 H01L27/10(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1、一种非易失性存储器,其特征是,该存储器包括:一字符线,形成于一衬底上;一捕捉层,位于该字符线与该衬底之间;一接触窗,位于该衬底上方,且与该字符线电性连接;以及一金属保护线,其一端电性连接该接触窗、另一端电性连接该衬底的一接地掺杂区,且该金属保护线在制程完成后将被烧断,以隔离该金属保护线的两端,其中,该金属保护线的阻值高于该字符线。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号