| 发明名称 | 一种形成分层半导体工艺结构的方法与相应的分层半导体工艺结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于形成分层半导体结构的方法，该结构具有在衬底(1；1’)上的第一半导体工艺材料层(5)，该衬底包括至少一种第二半导体工艺材料，该方法包含以下步骤：提供所述衬底(1；1’)；在所述衬底(1；1’)中埋入所述第一半导体工艺材料层(5)，所述掩埋层(5)具有一上表面(105)及一下表面(104)，并且将所述衬底(1；1’)分成上部分(1a)及下部分(1b；1b’；1c)；制造一掩埋损伤层(10，10’；10”；100”)，该掩埋损伤层至少部分连接并/或至少部分包含所述掩埋层(5)的上表面(105)；及去掉所述衬底(1；1’)的上部分(1a)和所述掩埋损伤层(10；10’；10”；100”)，以露出所述掩埋层(5)。该发明还提供相应分层半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1316586C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN02820195.7 | 申请日期 | 2002.10.11 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 维尔弗里德·阿贝格尔;约尔格·林德纳;贝恩德·施特里茨克 |
| 分类号 | H01L21/74(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L29/165(2006.01);H01L33/00(2006.01);B81C1/00(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/04(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/322(2006.01) | 主分类号 | H01L21/74(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种形成分层半导体工艺结构的方法，该结构具有在衬底(1；1’)上的第一半导体工艺材料层(5)，该衬底至少包括一个第二半导体工艺材料，该方法包含以下步骤：提供所述衬底(1；1’)；在所述衬底(1；1’)中埋入所述第一半导体工艺材料层(5)，所述掩埋层(5)具有一上表面(105)及一下表面(104)，并且将所述衬底(1；1’)分成上部分(1a)及下部分(1b；1b’，1c)；制造一掩埋损伤层(10；10’；10”，100”)，该掩埋损伤层至少部分连接并/或至少部分包含所述掩埋层(5)的上表面(105)；及去掉所述衬底(1；1’)的上部分(1a)及掩埋损伤层(10；10’；10”，100”)，以露出所述掩埋层(5)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||