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1.一种六个MOS电晶体组成电流式施密特触发电路 装置, 其特征系一个PMOS电晶体决定低临限电流,一个NMOS 电晶 体决定迟滞区间电流;两个NMOS电晶体组成电流镜 用来比 较信号输入电流与临限电流;一个NMOS电晶体及一 个PMOS 电晶体组成反相器,其反相器之输入接于信号电流 流入端 与电流镜之复制端,反相器之输出端回授控制可决 定临限 电流NMOS电晶体;若使信号输入电流高于高临限电 流,则 会使反相器之输出端输出为低电位,直至信号输入 电流低 于低临限电流,则会使反相器之输出端输出为高电 位;反 之,若使信号输入电流一旦低于低临限电流,则会 使反相 器之输出端输出为高电位,直至信号输入电流高于 高临限 电流才会使反相器之输出端输出变为低电位功能 的一种六 个MOS电晶体组成电流式施密特触发电路装置。2. 如申请专利范围第1项所述之一种六个MOS电晶体组 成电 流式施密特触发电路装置,其中可决定临限电流之 一个闸 极接地PMOS电晶体及一个被回授控制NMOS电晶体;若 施以 一电源于可决定临限电流之一个闸极接地PMOS电晶 体之源 极端及一个被迥授控制NMOS电晶体汲极端,则低临 限电流 为(Ip)为一个闸极接地PMOS电晶体决定;则高临限电 流为 (Ip+In)为一个闸极接地PMOS电晶体与一个被回授控 制 NMOS电晶体产生的合成电流决定;迟滞区间电流(In) 为一 个被回授控制NMOS电晶体产生之电流决定。3.如申 请专利范围第2项所述之一种六个MOS电晶体组成电 流式施密特触发电路装置,其中可决定临限电流之 一个闸 极接地PMOS电晶体及一个被回授控制NMOS电晶体;若 施以 一电流源(I1)于可决定临限电流之一个闸极接地 PMOS电晶 体之源极端及另施以电流源(I2)于一个被回授控制 NMOS电 晶体汲极端:则可决定临限电流之一个闸极接地 PMOS电晶 体及一个被回授控制NMOS电晶体相当于开关;而低 临限电 流为(I1)决定,迟滞区间电流为(I2)决定,高临限电流 为 (I1+I2)决定;若施以一电流源(I2)任意可变,则迟滞区 间电流可任意调整。图式简单说明:第一图:习知 一种七 个MOS电晶体组成电流式施密特触发电路装置。第 二图: 一种六个MOS电晶体组成电流式施密特触发电路的 方法及 装置。第三图: 电流式施密特触发电路之高临限 电流及 低临限电流与输出电压之变化情形。 |
