发明名称 |
利用低压元件排除静电的高压电源静电放电保护电路 |
摘要 |
本发明揭示一种静电放电保护电路,主要包含一堆叠MOS电路,一触发电流产生电路。堆叠MOS电路的目的在于用作静电电流的释放路径;而触发电流产生电路的目的在于产生触发信号以导通堆叠MOS电路,使堆叠MOS电路形成一释放路径以释放静电电压。 |
申请公布号 |
CN1964035A |
申请公布日期 |
2007.05.16 |
申请号 |
CN200510125017.0 |
申请日期 |
2005.11.11 |
申请人 |
矽统科技股份有限公司 |
发明人 |
柯明道;李健铭 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01);H05F3/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
任永武 |
主权项 |
1.一种静电放电保护电路,其中包含:一第一静电检测电路,其第一端连结至一第一输入端,其第二端连结至一接地端,其第三端输出一第一静电检测信号;一第二静电检测电路,其第一端连结至一第二输入端,其第二端连结至该接地端,其第三端输出一第二静电检测信号;一触发电流产生电路,其第一端连结至该第一输入端,其第二端连结至该接地端,其第三端接收该第一静电检测信号,其第四端接收该第二静电检测信号,其第五端输出一触发信号;一侧面双载子接面晶体管,其基极接收该触发信号;及一堆叠MOS电路,包含一第一NMOS、一第二NMOS以及一第一电阻,其中该第一NMOS的漏极连结该第一输入端以及该侧面双载子接面晶体管的集电极,该第一NMOS的栅极连结该第一电阻的第一端,该第一NMOS的源极连结该第二NMOS的漏极,该第二NMOS的源极连结该接地端以及该侧面双载子接面晶体管的发射极,该第二NMOS的栅极也连结该接地端,该第一NMOS与该第二NMOS的基底也共同连结至该接地端,该第一电阻的第二端连结该第二输入端;其中当该第一输入端的一静电电压高于一预设值时,该触发电流产生电路会输出该触发信号,使该堆叠MOS电路成为一静电放电路径以排除该静电电压。 |
地址 |
中国台湾新竹科学园区研新一路16号 |