发明名称 发光二极管的荧光分布设计
摘要 本发明发光二极管的荧光分布设计,主要是依据晶粒的正面和侧面的光线强度大小而决定含有荧光粉的胶体在晶粒的正面的涂布量较多于侧面,基于荧光粉会吸收部分光能量的特性,使得晶粒所发出的光能量在正面被荧光粉吸收多于侧面。如此一来,通过适当控制涂布的荧光粉的量而调整晶粒在正面和侧面的光强度,而避免有色差产生。
申请公布号 CN1964087A 申请公布日期 2007.05.16
申请号 CN200510120309.5 申请日期 2005.11.08
申请人 联欣光电股份有限公司 发明人 李世辉;高湘凯;符永蒨
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1、一种发光二极管的荧光分布设计,该发光二极管是由一电极、放置在该电极中的一晶粒、包覆住该晶粒的一荧光层、包覆住该荧光层的一树脂层所组成,该荧光层是以涂覆或点胶方式直接或间接将含有一荧光粉的一胶体涂布在该晶粒表面上,其特征在于:依据该晶粒的一正面和一侧面的光线强度大小而决定含有该荧光粉的该胶体在该晶粒的该正面的涂布量多于该侧面,使得该晶粒所发出的光能量在该正面被该荧光粉吸收多于该侧面。
地址 台湾省台北县