| 发明名称 | 功率半导体模块 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一功率半导体模块(10)，其包括一基片(12)，一复合薄膜(14)和至少一个在基片(12)和复合薄膜(14)之间设置的功率半导体元件(16)。该复合薄膜(14)具有一电路结构形成的逻辑电路金属层(26)和一相对厚的电路结构形成功率金属层(28)以及在上述两金属层之间的一薄电绝缘塑料薄膜(24)。复合薄膜(14)设计为带有接触凸起部(30)，此接触凸起部用于至少一个功率半导体元件(16)触点接通。在逻辑电路金属层(26)和功率金属层(28)之间设置镀通孔(32)。塑料薄膜(24)在各个镀通孔(32)的区域内在逻辑电路金属层(26)的自由区域(36)上设计具有空隙(34)。柔性的薄片导线(40)的块(38)延伸通过逻辑电路金属层(26)上的自由区域(36)和通过塑料薄膜(24)中的空隙(34)，并且通过压焊点(44，48)与逻辑电路金属层(26)和功率金属层(28)触点接通。 | ||
| 申请公布号 | CN1964039A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610136514.5 | 申请日期 | 2006.10.24 |
| 申请人 | 塞米克朗电子有限及两合公司 | 发明人 | C·格布尔;K·奥古斯丁 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L25/07(2006.01);H01L23/538(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 谢志刚 |
| 主权项 | 1.一种功率半导体模块，包括一基片(12)，一复合薄膜(14)和至少一个在基片(12)和复合薄膜(14)之间的功率半导体元件(16)，该复合薄膜具有一薄的电路结构形成的逻辑电路金属层(26)和一相对厚的电路结构形成的功率金属层(28)以及上述两金属层之间的一薄电绝缘塑料薄膜(24)，其中复合薄膜(14)设计成带有接触凸起部(30)，用于与至少一个功率半导体元件(16)的触点接通，并且在逻辑电路金属层(26)和功率金属层(28)之间设置镀通孔(32)，其特征在于，塑料薄膜(24)在各个镀通孔(32)的区域内在逻辑电路金属层(26)的自由区域(36)上设计具有空隙(34)，薄片导线(40)的柔性块(38)延伸通过逻辑电路金属层(26)的自由区域(36)和通过塑料薄膜(24)中的空隙(34)，并且通过压焊点(44，48)与逻辑电路金属层(26)和功率金属层(28)触点接通。 | ||
| 地址 | 德国纽伦堡 | ||