发明名称 | 微结构以及微机电装置的制造方法 | ||
摘要 | 本发明的目的是减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光掩模的数目,并且降低制造成本。通过由同一光掩模构图的抗蚀剂掩模来形成牺牲层。在用抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第一牺牲层之后,通过使用由同一光掩模形成图案的抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第二牺牲层。通过在蚀刻一方的牺牲层之前使抗蚀剂掩模的外形尺寸扩大或缩小而改变其形状,可以形成大小不同的牺牲层。 | ||
申请公布号 | CN1962409A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
申请号 | CN200610146343.4 | 申请日期 | 2006.11.10 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 立石文则;泉小波;山口真弓 |
分类号 | B81C1/00(2006.01) | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种微结构的制造方法,包括以下步骤:在绝缘衬底上形成第一层;使用光掩模在所述第一层上形成第一抗蚀剂掩模;使用所述第一抗蚀剂掩模加工所述第一层以形成第一牺牲层;在所述第一牺牲层上形成第二层;使用所述光掩模在所述第二层上形成第二抗蚀剂掩模;进行改变所述第二抗蚀剂掩模的外形尺寸的处理;以及使用所述第二抗蚀剂掩模加工所述第二层以形成第二牺牲层。 | ||
地址 | 日本神奈川 |