| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在硅衬底10上形成多晶硅膜32；在用于电阻元件形成于其中的多晶硅膜32区域中注入掺杂物；图案化多晶硅膜32以由被注入掺杂物的多晶硅膜32形成电阻元件46，并且由未被注入掺杂物的多晶硅膜32形成栅极44a、44b。因此，电阻元件可以形成，同时抑制对与电阻元件同时形成于同一衬底上的晶体管特性的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1316568C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200310102357.2 | 申请日期 | 2003.10.27 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 山上朗;关野聪 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杜娟;董方源 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底之上形成半导体膜；将掺杂物注入所述半导体膜的要形成电阻元件的第一区域中，所述掺杂物不被注入所述半导体膜的要形成栅极的第二区域中；以及在未对所述要形成栅极的第二区域注入任何掺杂物的情况下，图案化所述半导体膜以由被注入所述掺杂物的半导体膜形成所述电阻元件，并且由未被注入所述掺杂物的半导体膜形成所述栅极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||