| 发明名称 | 一种用于制造固态存储器装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种用于制造固态存储器装置的方法，包括：形成所述装置的一个级(302)；识别在所述级中的有缺陷的区域(304)；以及对所述级的地址逻辑编程，使得避开在所述级中的有缺陷的区域(306)。 | ||
| 申请公布号 | CN1316505C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN02126953.X | 申请日期 | 2002.07.24 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | J·N·霍甘 |
| 分类号 | G11C17/06(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | G11C17/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻;王勇 |
| 主权项 | 1.一种用于制造固态存储器装置的方法，包括：形成所述装置的一个级(302)，所述级包括主存储器和可编程的地址逻辑，所述主存储器包括存储器元件的交点电阻阵列；通过测量所述主存储器中每个交点的电压-电流特性识别在所述级中的有缺陷的区域(304)；以及对所述级的地址逻辑编程，使得避开在所述级中的有缺陷的区域(306)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||