| 发明名称 | 互补式金属氧化物半导体反相器 | ||
| 摘要 | 一种金属氧化物半导体电路(如：反相器或锁存器)。使用于该电路的晶体管以一连接器连接；该连接器居于中间，且有效地连接一第一晶体管形成区中的栅极与一第二晶体管形成区中的栅极，该连接器通常为Z形。 | ||
| 申请公布号 | CN1316621C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200410031235.3 | 申请日期 | 2004.03.26 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 孙文堂;胡珍仪 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H03K19/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种互补式金属氧化物半导体反相器，包括：(a1)一第一晶体管，包括一第一栅极、一第一漏极与一第一源极；(b1)一第二晶体管，包括一第二栅极、一第二漏极与一第二源极，且该第二晶体管位于该第一晶体管附近；(c1)一反相器的输入，包括一大致为Z形的第一连接器，以连接该第一栅极与该第二栅极；以及(d1)一反相器的输出，包括第二连接器，以连接该第一漏极与该第二漏极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||