发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供了一种半导体装置,包括:具有电极的半导体元件;形成配线的基板;形成为在装载了半导体元件的第一区域以外的第二区域中覆盖配线图案的保护膜;以及粘接半导体元件和基板的粘接片。保护膜具有形成为向装载了所述半导体元件的第一区域变薄的端部。粘接片形成为至少从基板的第一区域达到保护膜的端部上。
申请公布号 CN1316579C 申请公布日期 2007.05.16
申请号 CN200410059869.X 申请日期 2004.06.24
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 谷口润
分类号 H01L21/58(2006.01);H01L23/12(2006.01) 主分类号 H01L21/58(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李香兰
主权项 1.一种半导体装置,其特征在于,包括:具有电极的半导体元件;形成配线图案的基板;形成为在装载了所述半导体元件的第一区域以外的第二区域中覆盖所述配线图案的保护膜;和粘接所述半导体元件和所述基板的粘接片,所述电极与所述配线图案电接触,所述保护膜具有形成为向装载所述半导体元件的第一区域变薄的端部,所述粘接片形成为至少从所述基板的第一区域达到所述保护膜的所述端部上。
地址 日本东京
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