| 发明名称 | 发光二极管及其电极压焊点的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了发光二极管电极压焊点的形成方法，提供一个包含p电极区和n电极区的LED芯片，所述p电极区上包括第一金属层，所述方法进一步包括：步骤一，形成一光刻胶层在所述LED芯片的p和n电极区上；步骤二，在所述p和n电极区的光刻胶层上通过光刻形成压焊点的掩膜窗口；步骤三，在所述光刻胶掩膜上沉积第二、第三金属层；步骤四，移除光刻胶层以及其上的第二、第三金属层，保留沉积在掩模窗口中的第二、三金属层作为压焊点。本发明的发光二极管，包括：一LED芯片，所述芯片上包括p电极区和n电极区，所述p电极区上包括第一金属层构成p电极；第二、三金属层，设置在所述LED芯片上的局部p电极上和局部n电极区上。 | ||
| 申请公布号 | CN1964083A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200510110301.0 | 申请日期 | 2005.11.11 |
| 申请人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 发明人 | 江忠永 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1、发光二极管电极压焊点的形成方法，提供一个包含p电极区和n电极区的LED芯片，所述p电极区上包括第一金属层，所述方法进一步包括：步骤一，形成一光刻胶层在所述LED芯片的p和n电极区上；步骤二，在所述p和n电极区的光刻胶层上通过光刻形成压焊点的掩膜窗口；步骤三，在所述光刻胶掩膜上沉积第二、第三金属层；步骤四，移除光刻胶层以及其上的第二、第三金属层，保留沉积在掩模窗口中的第二、三金属层作为压焊点。 | ||
| 地址 | 310018浙江省杭州市经济技术开发区东区10号路 | ||