制造NAND快闪存储器件的方法

摘要

一种制造NAND快闪存储器件的方法，包括下列步骤：提供其中限定有单元区域和选择晶体管区域的半导体衬底；在所述单元区域的半导体衬底上形成多个单元栅，同时在所述选择晶体管区域的半导体衬底上形成选择栅；在整个结构上形成氧化物膜，然后形成氮化物膜；蚀刻所述氮化物膜，使得所述氮化物膜只剩留在所述选择栅和相邻的边缘单元栅之间；以及毯式蚀刻所述氧化物膜以在所述选择栅的侧壁上形成间隔物。因而，可确保均匀的阈值电压分布，并当蚀刻所述间隔物时可确保用于间隔物蚀刻目标的工艺裕度。此外，即使在所述栅间隔物被蚀刻之后，所述氮化物膜仍部分地剩留在所述边缘单元栅与所述选择栅之间。因此有可能禁止湿气或氢离子的渗入，该渗入可能在随后的工艺中发生。

主权项

1.一种制造NAND快闪存储器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供其中限定有单元区域和选择晶体管区域的半导体衬底；在所述单元区域的半导体衬底上形成多个单元栅，同时在所述选择晶体管区域的半导体衬底上形成选择栅；在整个结构上形成氧化物膜，然后形成氮化物膜；蚀刻所述氮化物膜，使得所述氮化物膜只剩留在所述选择栅与相邻的边缘单元栅之间；以及毯式蚀刻所述氧化物膜以在所述选择栅的侧壁上形成间隔物。