在半导体器件中形成金属线的方法

摘要

本发明揭示一种在一半导体器件内形成一金属线的方法，其包括以下步骤：按顺序在其上已形成次结构的一半导体衬底上形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成用于在不同点曝露该次结构的多个通孔，且通过重新图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜及该蚀刻阻挡薄膜于所述多个通孔上分别形成多个沟槽图案；通过将一金属材料填充于所述多个通孔及沟槽图案内来形成多个通路及沟槽；移除该第二绝缘薄膜；及在包括该经移除的第二绝缘薄膜的所得结构上形成一第三绝缘薄膜。

主权项

1.一种在半导体器件中形成金属线的方法，其包括以下步骤：在其上已形成次结构的一半导体衬底上，按顺序地形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成在不同点曝露该次结构的多个通孔，且通过重新图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜及该蚀刻阻挡薄膜来于所述多个通孔上分别形成多个沟槽图案；通过将一金属材料填充于所述多个通孔及沟槽图案中来形成多个通路及沟槽；移除该第二绝缘薄膜；及在该所得结构上形成一第三绝缘薄膜，其中移除该第二绝缘薄膜的步骤减小了所述沟槽的宽度及厚度以及该蚀刻阻挡薄膜的厚度。