发明名称 |
生产白色微硅石的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种在生产高硅铸铁或硅的熔炼炉中用包含SiO<SUB>2</SUB>源和固态碳质还原剂的进料生产具有65~90%反射比的微硅石的方法,其中微硅石从来自熔炼炉的废气中回收。供应给炉中的固态还原剂就每千克产生的微硅石而言含有少于1.25千克量的挥发性物质,并且炉中进料上方气体气氛中的温度保持在500℃以上。 |
申请公布号 |
CN1042125C |
申请公布日期 |
1999.02.17 |
申请号 |
CN94192877.2 |
申请日期 |
1994.07.19 |
申请人 |
埃以凯姆公司 |
发明人 |
M·达斯托尔;H·特怀特;E·O·丁索尔;P·朗宁;S·哈沙克 |
分类号 |
C01B33/18;C04B18/14;//C01B 33/025,C22C 29/18 |
主分类号 |
C01B33/18 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王景朝 |
主权项 |
1.一种在生产高硅铸铁或硅的熔炼炉中用包含SiO2源和固态碳质还原剂的进料生产具有65-90%的反射比的微硅石的方法,其中微硅石从来自熔炼炉的废气中回收,所述方法的特征在于,供应给炉中的固状还原剂就每千克产生的微硅石而言含有0~1.25千克量的挥发性物质,并且炉中进料上方的气体气氛中的温度保持在500℃以上。 |
地址 |
挪威奥斯陆 |