发明名称 生产白色微硅石的方法
摘要 本发明提供了一种在生产高硅铸铁或硅的熔炼炉中用包含SiO<SUB>2</SUB>源和固态碳质还原剂的进料生产具有65~90%反射比的微硅石的方法,其中微硅石从来自熔炼炉的废气中回收。供应给炉中的固态还原剂就每千克产生的微硅石而言含有少于1.25千克量的挥发性物质,并且炉中进料上方气体气氛中的温度保持在500℃以上。
申请公布号 CN1042125C 申请公布日期 1999.02.17
申请号 CN94192877.2 申请日期 1994.07.19
申请人 埃以凯姆公司 发明人 M·达斯托尔;H·特怀特;E·O·丁索尔;P·朗宁;S·哈沙克
分类号 C01B33/18;C04B18/14;//C01B 33/025,C22C 29/18 主分类号 C01B33/18
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王景朝
主权项 1.一种在生产高硅铸铁或硅的熔炼炉中用包含SiO2源和固态碳质还原剂的进料生产具有65-90%的反射比的微硅石的方法,其中微硅石从来自熔炼炉的废气中回收,所述方法的特征在于,供应给炉中的固状还原剂就每千克产生的微硅石而言含有0~1.25千克量的挥发性物质,并且炉中进料上方的气体气氛中的温度保持在500℃以上。
地址 挪威奥斯陆