一种n层磁芯的Ⅰ型薄膜变压器阵列及其制备方法

摘要

本发明提供了一种n层磁芯的I型薄膜变压器阵列及其制备方法，它是由多个I型n层磁芯的薄膜变压器制作在同一基片上，构成本发明的I型薄膜变压器阵列；其制备方法采用高精度的薄膜制造技术，以物理或化学气相沉积的方法，在基片上制作多层厚度为纳米级或微米级的金属、金属氧化物薄膜，形成磁芯和绕组。本发明的n层磁芯的I型薄膜变压器阵列具有品质高、电感量大、损耗小、体积小、频带宽、绝缘性能好、与半导体集成电路制造工艺兼容等特点，可应用于通信、计算机、消费类电子系统。

主权项

1、一种n层磁芯的I型薄膜变压器阵列，其特征是：它包括m个n层磁芯的I型薄膜变压器，所述的n层磁芯的I型薄膜变压器是由初级绕组、次级绕组、n层磁芯和薄膜绝缘层组成，初、次级绕组与竖直方向倾斜15°～20°，以交叉的方式缠绕在薄膜磁芯上；所述的n层磁芯的I型薄膜变压器包括n层磁芯层和n+1层绝缘层，它是在基片上依次镀制绝缘层、磁芯层、绝缘层、磁芯层、……绝缘层、磁芯层、绝缘层；m个n层磁芯的I型薄膜变压器制作在同一个基片上。