| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1316628C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200410074196.5 | 申请日期 | 2004.09.01 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 堀田幸司;河路佐智子;杉山隆英;庄司智幸;石子雅康 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L23/58(2006.01) | 主分类号 | H01L29/739(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具有形成了半导体开关元件组的中心区域，和形成了把该中心区域围起来的保护环组的周边区域，其特征在于：在最外周上形成的半导体开关元件的体区域，和在最内周形成的保护环重叠地形成，连接到半导体开关元件组的栅电极上的栅布线，中间存在着绝缘层地与体区域和保护环的重叠区域对向，上述重叠区域的宽度，是体区域与保护环中的深度深的一方的深度的1/3或1/3以上。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||