| 发明名称 | 一种电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及导电泡沫陶瓷的制备技术，具体地说是电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料及其制备方法，其中所述碳化硅泡沫陶瓷以多边型封闭环为基本单元，各基本单元相互连接形成三维连通网络；构成多边形封闭环单元的陶瓷筋的相对致密度≥99％；按重量分数计，其成份由80％～96％的碳化硅、10％～2％金属相和10％～2％的硅组成；电阻率的变化范围为：5Ω.cm－0.01Ω.cm。 | ||
| 申请公布号 | CN1962544A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200510047688.X | 申请日期 | 2005.11.11 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 张劲松;曹小明;田冲;杨振明;刘强 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01);C04B38/08(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 主分类号 | C04B35/565(2006.01) |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 许宗富;周秀梅 |
| 主权项 | 1.一种电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料，其特征在于：按重量百分数计，其成份由80％～96％的碳化硅、10％～2％金属相和10％～2％的硅组成。 | ||
| 地址 | 110016辽宁省沈阳市文化路72号 | ||