| 发明名称 | 双极晶体管和背栅晶体管的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种包括衬底的结构，该衬底包括位于本体层上的绝缘体层，和位于衬底第一区域的双极晶体管，该双极晶体管包括位于绝缘体层内的发射区的至少一部分。被披露的另一种结构包括位于衬底第一区域的倒置双极晶体管，该衬底包括位于本体层上的绝缘体层，该倒置双极晶体管包括发射区和位于衬底第二区域的背栅晶体管，其中背栅晶体管的背栅导体和发射区的至少一部分位于材料的同一层。也披露了形成同时包括双极晶体管和背栅晶体管的结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1964057A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610143976.X | 申请日期 | 2006.11.08 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 艾德华·约瑟夫·诺瓦克;小威廉·F.·克拉克;安德斯·布赖恩特 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种结构，包括：包括位于本体层上的绝缘体层的衬底；和衬底的第一区域中的双极晶体管，该双极晶体管包括绝缘体层中的发射区的至少一部分。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||