| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明在不增加掩膜数量和不用黑掩膜的情况下，提高了反射型显示器件或透射型显示器件的像素的孔径比。设置像素电极(167)使其部分交叠源布线(137)，该源布线(137)用于对像素之间的间隙屏蔽光，设置薄膜晶体管使其部分交叠栅布线(166)，该栅布线(166)用于对薄膜晶体管沟道区屏蔽光，因此实现了高的像素孔径比。 | ||
| 申请公布号 | CN1316631C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN01117390.4 | 申请日期 | 2001.02.21 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗朋;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：形成在绝缘表面上的半导体层，至少具有源区、漏区和置于源区和漏区之间的沟道形成区；在所述半导体层上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成且与其相接触的至少一个电极，并与所述沟道形成区交叠；在所述第一绝缘膜上形成且与其相接触的源布线；至少覆盖所述至少一个电极和所述源布线的第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成的栅布线，并连接到所述至少一个电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||