| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法，可提高对半导体晶片进行分割时的起始点的稳定性和精度，提高成品率，并且不会导致生产效率的下降。该半导体器件的制造方法在半导体晶片(11)的主表面上形成元件，在上述半导体晶片的背面，沿着切割线或芯片分割线，采用机械或化学方法形成沟槽(17)。然后，通过向上述沟槽内照射激光，形成改质层(20)，以上述改质层为起始点分割上述半导体晶片。然后除去上述半导体晶片的背面直到至少上述沟槽深度。 | ||
| 申请公布号 | CN1964018A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610143833.9 | 申请日期 | 2006.11.09 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 黑泽哲也 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01);H01L21/301(2006.01) | 主分类号 | H01L21/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体晶片的主表面上形成元件的工序；在上述半导体晶片的背面沿着切割线或芯片分割线采用机械或化学方法形成沟槽的工序；向上述沟槽内照射激光，在比上述半导体晶片的上述沟槽更深的位置形成改质层的工序；以上述改质层为起始点分割上述半导体晶片的工序；和除去上述半导体晶片的背面直到至少上述沟槽的深度的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||