溅射TiO<SUB>2</SUB>使聚合物微流芯片表面改性的方法

摘要

一种属于微机电系统技术领域的溅射TiO₂使聚合物微流芯片表面改性的方法，本发明具体步骤如下：1)将道康宁的sylgard184A溶液与sylgard184B溶液进行充分混合，然后将该混合物置入真空箱中脱除气泡；2)待气泡完全除去后，将脱好气的混合物浇在硅模具上，然后用甩胶机旋转，得到聚合物芯片，最后将聚合物芯片放置固化；3)将制备好的聚合物芯片放置在工作腔中，该芯片与Ti靶相距一定距离；4)将工作腔室本底抽真空，引入Ar气离子轰击靶材；5)待放电电压稳定后，引入反应气体氧气与溅射出的Ti发生反应，变成TiO₂，沉积到聚合物芯片表面。本发明薄膜和基体的结合强度大大提高，其改性后的表面亲水性和蛋白质吸附特性也得到了明显的改善。

主权项

1、一种溅射TiO2使聚合物微流芯片表面改性的方法，其特征在于，具体步骤如下：1)将道康宁的sylgard184A溶液与sylgard184B溶液以10∶1体积比进行充分混合，然后将该混合物置入6.666Pa-13.3322Pa真空箱中脱除气泡；2)待气泡完全除去后，将脱好气的混合物浇在硅模具上，然后用甩胶机以1000～2500rpm的速度旋转，得到厚度为200μm～2mm的聚合物芯片，最后将聚合物芯片放置在70℃～85℃的环境中固化；3)将制备好的聚合物芯片放置在工作腔中，与Ti靶的距离为60～100mm，Ti靶纯度为99.9％，表面积为125×378mm2；4)将工作腔室本底抽真空至0.15999Pa，引入Ar气离子轰击靶材，起辉电流为2.5A，功率为1～3.8KW；5)待放电电压稳定后，引入反应气体氧气与溅射出的Ti发生反应，变成TiO2，沉积到聚合物芯片表面，氧离子能量为1～50KeV，氧气与Ar气体的体积比为1∶0.05～1∶9，沉积速率为0.25～1.5A/s。