| 主权项 |
1.一种制造式I化合物之方法其中R为氢或C1-C6烷基,其可视需要经一个C1-C4烷氧基或苯基取代;n为1.2.3.4、5.6.7或8之整数;W为CN、NO2.COOR1或COR2;A为L为氢或卤素;M与Q分别为氢、卤素、CN、NO2.C1-C4烷基、C1-C4卤烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤烷氧基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷亚磺醯基,或当M与Q位于相邻位置时,可与其附接之碳原子共同形成一个环,其中MQ代表下列结构式-OCH2O-或-CH=CH-CH=CH-;R1与R2分别为C1-C4烷基;R3.R4与R5分别为氢、卤素、NO2或R4与R5可与其所附接之原子共同形成一个环,其中R4R5由下列结构式代表:R6.R7.R8与R9分别为氢、卤素、CN或NO2;且X为O或S其包括由式II醯胺其中A、R与n如上述式I之定义,与至少一莫耳当量式III亲二烯物反应其中W如上述式I之定义且Y为氢、Br或Cl,但其限制条件为当R为氢时,则Y必需为Br或Cl,该反应系于酸及溶剂之存在下且在基本上没有水之存在下进行。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该酸系选自:甲磺酸、三氟甲磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、磺酸、四氟硼酸、四氟硼酸醚合物及四氟硼酸醇盐。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该溶剂为芳香烃、卤化芳香烃、有机醯胺、、烷醇、或其混合物。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该溶剂选自:甲苯、二甲基甲醯胺、乙、丙、第三-丁醇、及其混合物。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中A为其中L为氢或卤素;M与Q分别为氢、卤素、C1-C4卤烷基或C1-C4卤烷氧基;n为1或2;W为CN且R为氢或甲基。6.一种制备式IV化合物之方法其中R为氢或C1-C6烷基,其可视需要经一个C1-C4烷氧基或苯基取代;n为1.2.3.4、5.6.7或8之整数;W为CN、NO2.COOR1或COR2;A为L为氢或卤素;M与Q分别为氢、卤素、CN、NO2.C1-C4烷基、C1-C4卤烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤烷氧基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷亚磺醯基,或当M与Q位于相邻位置时,可与其附接之碳原子共同形成一个环,其中MQ代表下列结构式-OCH2O-或-CH=CH-CH=CH-;R1与R2分别为C1-C4烷基;R3.R4与R5分别为氢、卤素、NO2或R4与R5可与其所附接之原子共同形成一个环,其中R4R5由下列结构式代表:R6.R7.R8与R9分别为氢、卤素、CN或NO2;且X为O或S;且Hal为卤原子;其包括由式II醯胺其中A、R与n如上述式I之定义,与至少一莫耳当量式III亲二烯物反应其中W如上述式I之定义且Y为氢、Br或Cl,但其限制条件为当R为氢时,则Y必需为Br或Cl,该反应系于酸及溶剂之存在下且在基本上没有水之存在下进行,形成式I化合物并卤化该式I化合物,形成该式IV化合物。7.一种式IIa化合物其中n为1.2.3.4.5.6.7或8之整数;R'为氢或C1-C6烷基,其可视需要经一个C1-C4烷氧基或苯基取代;A为L为氢或卤素;M与Q分别为氢、卤素、CN、NO2.C1-C4烷基、C1-C4卤烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤烷氧基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷亚磺醯基,或当M与Q位于相邻位置时,可与其附接之碳原子共同形成一个环,其中MQ代表下列结构式-OCH2O-或-CH=CH-CH=CH-;R1与R2分别为C1-C4烷基;R3.R4与R5分别为氢、卤素、NO2或R4与R5可与其所附接之原子共同形成一个环,其中R4R5由下列结构式代表:R6.R7.R8与R9分别为氢、卤素、CN或NO2;且X为O或S。8.根据申请专利范围第7项之化合物,其中n为1或2。9.根据申请专利范围第7项之化合物,其中R'为甲基或乙氧甲基。10.根据申请专利范围第7项之化合物,其中A为其中L为氢或卤素,且M与Q分别为氢、卤素或C1-C4卤烷基。 |
