具有梁柱结构的三维晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法

摘要

本发明提供了一种晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法，该晶片堆叠结构包含具有多个金属支撑结构的第一晶片，以及堆叠在该第一晶片上方的一第二晶片，其中，该第二晶片可以为表面朝上或表面朝下。所述的金属支撑结构配置在每一芯片位置上并且从该第一晶片上方的硅表面延伸到该第二晶片底座的硅表面。该金属支撑结构在两个硅表面之间形成一支撑力量，以保护低介电层使其能够免于垂直应力或剪应力的破坏。

主权项

1、一种三维晶片堆叠结构，包含：一第一晶片，其具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具有至少一芯片及至少一低介电材料；一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第二装置层与一第二基板；以及至少一金属支撑结构，其位于该芯片位置上，其中该金属支撑结构垂直排列并且从该第一基板的上表面延伸到该第二基板的下表面。