首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zum Herstellen von Kontakten mit niedrigem Widerstand zwischen Metallisierungsschichten eines integrierten Schaltkreises und dadurch hergestellte Strukturen
摘要
申请公布号 DE69834868(T2) 申请公布日期 2007.05.16
申请号 DE1998634868T 申请日期 1998.07.15
申请人 SHARP K.K.;SHARP MICROELETRONICS TECHNOLOGY INC. 发明人 NGUYEN, TUE;HSU, SHENG TENG
分类号 H01L21/28;H01L21/768;H01L21/285;H01L23/522;H01L23/532 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com