多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管

摘要

本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，包括：绝缘基底(1)、SiO₂缓冲层(51)、上绝缘层(53)、在上绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)；此外，SiO₂缓冲层(51)上还生长有一层下绝缘层(52)，在下绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在下绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)。本发明的TFT器件与在同样条件下制备的TFT有着同量级关态漏电流的同时，具有开态电流增加一倍、相同宽长比TFT驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。

主权项

1、多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管，包括：绝缘材料基底(1)、在基底上顺次生长的SiO2缓冲层(51)、上绝缘层(53)、在上绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)，其特征在于：还包括：SiO2缓冲层(51)上生长有一层下绝缘层(52)，在下绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在下绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)；漏区(3)和源区(4)的底部与沟道(6)相接触。