| 发明名称 | 纯碳纳米管薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纯碳纳米管薄膜的制备方法，其做法是：采用电纺丝法或溶液喷丝法，将碳纳米管与分散剂的混合液喷射至接收板上；然后通过加热使分散剂挥发，或用蒸馏水洗涤去除分散剂，即可。其制备过程简单，制作成本低，制得的纯碳纳米管薄膜材料导电性能好、内阻低、碳纳米管的利用率高。 | ||
| 申请公布号 | CN1962429A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610022327.4 | 申请日期 | 2006.11.27 |
| 申请人 | 西南交通大学 | 发明人 | 江奇;蔡玉冬;赵勇 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01) | 主分类号 | C01B31/02(2006.01) |
| 代理机构 | 成都博通专利事务所 | 代理人 | 陈树明 |
| 主权项 | 1、一种纯碳纳米管薄膜的制备方法，其做法是：采用电纺丝法或溶液喷丝法，将碳纳米管与分散剂的混合液喷射至接收板上；然后通过加热使分散剂挥发，或用蒸馏水洗涤去除分散剂，即可。 | ||
| 地址 | 610031四川省成都市二环路北一段111号 | ||