平面金属电加工

摘要

本发明涉及在晶片上制作平整导体表面的方法。一方面，本发明使用采用电化学沉积的非接触型工艺，接着进行采用电化学机械沉积的接触型工艺。另一方面，采用电化学沉积的非接触型工艺使用一种溶液来适应该非接触型工艺，而采用电化学机械沉积的接触型工艺使用不同的溶液来适应该接触型工艺。

主权项

1.一种在晶片上进行电化学处理的方法，所述晶片具有上表面以及宽度窄于第二凹腔的第一凹腔，和设置在所述上表面和所述第一凹腔和第二凹腔的壁上的导体层，其中该导体层包括阻挡层/籽层，该方法包括：在导体层上用含有第一导体材料的第一溶液进行电化学沉积，以便采用第一导体材料形成导体上表面，并至少部分地填充第一凹腔和第二凹腔；以及在该导体上表面上用含有第二导体材料的第二溶液进行电化学机械沉积，以便采用第二导体材料填充任何余下的凹腔，其中在导体上表面与工件表面影响装置间至少有一段时间保持物理接触和相对运动，以形成平整的层，其中工件表面影响装置与晶片相对布置，并且在二者之间提供第二溶液，其中第一导体材料和第二导体材料为同一材料。