| 发明名称 | 一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，它可以有效保护自对准难溶金属硅化合物阻挡层。它至少依次包括以下步骤：NMOS，PMOS源漏注入；自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长；涂胶；自对准难溶金属硅化合物阻挡层掩膜版光罩；湿法刻蚀；干法去胶；湿法去胶；源漏扩散退火。因为本发明将源、漏扩散退火这一过程放置到salicide生长前的HF处理之前，利用源、漏扩散退火对自对准难溶金属硅化合物阻挡层的致密化作用，大大减轻了Salicide形成前的HF刻蚀对Salicide block的刻蚀作用，从而起到了保护Salicide block的作用；另外，由原工艺的干法刻蚀更新为更为简单的湿法刻蚀，大大缩短了硅片的生产周期。 | ||
| 申请公布号 | CN1964003A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200510110122.7 | 申请日期 | 2005.11.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周贯宇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，其特征在于，它至少包括以下步骤：第一步，NMOS、PMOS源漏注入；第二步，自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长；第三步，涂胶；第四步，自对准难溶金属硅化合物阻挡层掩膜版光罩；第五步，刻蚀；第六步，干法去胶；第七步，湿法去胶；第八步，源、漏扩散退火。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||