发明名称 TRÄGERMATERIAL AUF NICKELBASIS UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
摘要 90-100% of the nickel oxide layer has a structure exhibiting precise 100 orientation. It is composed of a single crystal or of large grains, at least 20 microns in size. An Independent claim is included for the manufacture by thermal oxidation at 1,000-1,200 degrees C.
申请公布号 AT359386(T) 申请公布日期 2007.05.15
申请号 AT20020020106T 申请日期 2002.09.07
申请人 LEIBNIZ-INSTITUT FUER FESTKOERPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. 发明人 SELBMANN, DIETMAR;EICKENMEYER, JOERG;OPITZ, RALPH
分类号 C30B25/02;C30B25/18;H01L39/24;(IPC1-7):C30B29/16;C04B35/00 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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