| 主权项 |
1.一种定义晶圆上缺陷位置的方法,其步骤如下:预先记录待测生产晶圆的表面图案;储存一已知缺陷晶圆的表面图案;由上述的缺陷晶圆表面图案,取出缺陷影像;将上述取出的缺陷影像输入预先储存好的生产晶圆表面图案中;由上述含缺陷影像的生产晶圆表面图案中,定义出该生产晶圆表面对应的缺陷位置。2.如申请专利范围第1项所述定义晶圆上缺陷位置的方法,其中该生产晶圆表面对应的缺陷位置乃指相对于生产晶圆表面已刻划有的晶粒座标号码(x,y)。3.一种定义晶圆上缺陷位置的方法,其步骤如下:将一已知缺陷晶圆以一定方向及一定位置,放置于一固定平台上;记录上述固定平台上已知缺陷晶圆的表面图案;由上述的缺陷晶圆表面图案,找出缺陷影像之绝对位置;将待测生产晶圆按上述之一定方向及一定位置,放置于该固定平台上;记录上述固定平台上待测生产晶圆的表面图案;依照上述找出的绝对位置,定出生产晶圆表面上可能的缺陷位置。4.如申请专利范围第3项所述定义晶圆上缺陷位置的方法,其中该缺陷影像之绝对位置乃指相对于该固定平台之座标位置(X,Y)。5.如申请专利范围第3项所述定义晶圆上缺陷位置的方法,其中该固定平台为步进机之曝光平台。6.如申请专利范围第3项所述定义晶圆上缺陷位置的方法,其中该一定方向乃指生产晶圆的较大水平切口,平行该固定平台之水平座标。7.如申请专利范围第3项所述定义晶圆上缺陷位置的方法,其中该一定位置乃指将生产晶圆以上述之一定方向放置,晶面朝上,取该生产晶圆较大水平切口的左端点,为固定平台之座标原点(0,0)。8.如申请专利范围第3项所述定义晶圆上缺陷位置的方法,其中该缺陷位置乃指生产晶圆上缺陷晶粒的位置。图式简单说明:第一图A习知技艺正常晶圆表面光线聚焦之示意图;第一图B习知技艺曝光平台沾附微粒产生晶圆表面聚焦不良影响之示意图;第二图为本发明以生产晶圆上之刻划号码定出生产晶圆可能缺陷位置之示意图;第三图为本发明以曝光平台之绝对座标定出生产晶圆可能缺陷位置之示意图。 |
