| 主权项 |
1.一种搭载晶片元件之基板,其特征包括:一晶片搭载部(11),其上将搭载有一晶片元件,该晶片搭载部具有一连结垫(4)电性连接至该晶片元件;以及一第一沟槽(5),形成于该晶片搭载部上,自该晶片搭载部中心逐渐增加其宽度而延伸至该晶片搭载部的另一侧。2.如申请专利范围第1项所述之基板,其中更包括四个第二沟槽(1)沿具有长方形外型的该晶片搭载部的四个边向内延伸,所以该第一沟槽与该等第二沟槽之一于一较宽端部接。3.如申请专利范围第2项所述之基板,其中更包括一密封树脂(9)注入该搭载的晶片元件与该晶片搭载部间的间隙,所以该密封树脂系供应至该晶片元件之四个角或三个边。4.如申请专利范围第1项所述之基板,其中更包括一焊料阻材(2)覆盖该晶片搭载部的一表面,所以该第一沟槽系藉由部份移除该焊料阻材而形成。5.一种搭载晶片元件之基板,其特征包括:一晶片搭载部(108),其上将搭载有一晶片元件;一连结垫(104),形成在该晶片搭载部上,且电性连接至该晶片元件;以及一凹八部(106),形成在该晶片搭载部上,使其与该连结垫连接的该晶片元件之一电路元件表面(102a)对立,该凹穴部具有较该连结垫一表面还低的一底表面,且该凹穴部与该晶片元件之间的密封树脂是及于全体地被充填的。6.如申请专利范围第5项所述之基板,其中该凹穴部系藉由移除该晶片搭载部的一表面而形成。7.如申请专利范围第5项所述之基板,其中更包括一焊料阻材(112)覆盖包含该晶片搭载部的该基板,所以该凹穴部系藉由部份移除该焊料阻材而形成。8.如申请专利范围第5项所述之基板,其中更包括至少一入口116)以将一密封树脂(107)注入该晶片元件与该晶片搭载部间的间隙,所以该入口系藉由自该晶片元件的一边缘,部份曝露该凹穴部而形成。9.如申请专利范围第8项所述之基板,其中形成两入口系藉由自该晶片元件曝露该凹穴部的两端而形成。10.如申请专利范围第5项所述之基板,其中更包括形成在该凹穴部之一底部的一三维图案(118,121)。11.如申请专利范围第5项所述之基板,其中该基板包含一强化的基板。12.如申请专利范围第5项所述之基板,更包括注入连接至该连结垫的该晶片元件与该晶片搭载部间间隙的一密封树脂(107)。13.如申请专利范围第5项所述之基板,其中连接至该连结垫的该晶片元件包含一翻转晶片。14.如申请专利范围第5项所述之基板,其中连接至该连结垫的该晶片元件包含一梁式引线晶片。15.一种晶片元件之搭载结构,其特征包括:一搭载晶片元件之基板(12,101),包含一晶片搭载部(11,108),其上将搭载一晶片元件,一连结垫(4,104),形成在该晶片搭载部并与该晶片元件电性连接,以及一凹穴部(1,5,106),形成在该晶片搭载部上,至少与该连结垫连接的该晶片元件之一电路元件的部份对立,该凹穴部具有较该连结垫一表面还低的一底表面;该晶片元件(6,102),搭载在该搭载晶片元件之基板上的该晶片元件搭载部(11,108)上;以及一密封树脂(9,107),注入该搭载晶片元件之基板上搭载的该晶片元件与包含该凹穴部之该搭载晶片元件之基板间的间隙,以密封该晶片元件的该电路元件表面。16.一种制造搭载晶片元件基板的方法,其特征包括:于一基板上之一晶后搭载部(11,108)上形成连结垫(4,104),以与该晶片儿件的一电极位置相对应;以及至少在该晶片元件搭载部上部份地形成一凹穴部(1,5,106),其具有较该连结垫内部的该连结垫的一表面还低的一底表面。图式简单说明:第一图A和第一图B分别绘示根据本发明第一实施例的一裸露晶片搭载基板的平面图,及沿第一图A之I-I线的剖面图;第二图绘示一种裸露晶片搭载在第一图A和第一图B之基板上情形的剖面图;第三图A和第三图B绘示以不同方法,供应一树脂至第二图搭载有裸露晶片之裸露晶片搭载基板情形的平面图;第四图绘示一种树脂注入第二图搭载有裸露晶片之裸露晶片搭载基板情形的剖面图;第五图绘示根据本发明第二实施例的一裸露晶片搭载基板的剖面图;第六图绘示第五图之裸露晶片搭载基板的平面图;第七图A-第七图C绘示第五图之裸露晶片搭载基板制作步骤说明的剖面图;第八图绘示第五图之裸露晶片搭载基板的电路对应部发生缠绕以致于上向突起情形的剖面图;第九图绘示第五图之裸露晶片搭载基板经一修改后的剖面图;第十图绘示第五图之裸露晶片搭载基板经另一修改后的剖面图;第十一图绘示第五图之裸露晶片搭载基板经另一修改后的剖面图;第十二图绘示根据本发明第三实施例的一裸露晶片搭载基板的平面图;第十三图绘示第十二图之裸露晶片搭载基板的剖面图;第十四图绘示第十二图和第十三图之裸露晶片搭载基板的入口经一修改后的平面图;第十五图绘示根据本发明第四实施例的一裸露晶片搭载基板的剖面图;第十六图绘示第十五图之裸露晶片搭载基板的平面图;第十七图绘示第十五图和第十六图之裸露晶片搭载基板中一凹入/凸起沟槽应用例的平面图;第十八图A和第十八图B分别绘示习知一种裸露晶片搭载基板的平面图,及沿第十八图A之II-II的剖面图;第十九图绘示习知一种裸露晶片搭载在第十八图A和第十八图B中裸露晶片搭载基板情形的剖面图;第二十图绘示习知一种树脂注入第十九图搭载有裸露晶片之裸露晶片搭载基板情形的剖面图;第二十一图绘示另一习知裸露晶片搭载基板的剖面图;第二十二图绘示习知一种三层强化基板制作一系列步骤说明的剖面图;以及第二十三图A-F绘示一种第二十二图之裸露晶片搭载基板的电路对应部发生缠绕以致于上向突起情形的剖面图。 |
