| 主权项 |
1.一种于基材上形成毫微孔隙介电涂层之方法,其包括(a)掺合至少一种烷氧基矽烷与溶剂组合物及选用之水,因此形成混合物及造成烷氧基矽烷之部份水解与部份缩合;(b)沈积该混合物于基材上,同时蒸发至少一部份该溶剂组合物;(c)将基材放在密封室中,并将该室抽气至压力低于大气压力;(d)在压力低于大气压力下,使基材曝露至水蒸汽或硷蒸气;然后(e)若基材于步骤(d)中系曝露至硷蒸气,则使基材曝露至水蒸汽,或若基材于步骤(d)中系曝露至水蒸汽,则使其曝露至硷蒸气。2.如申请专利范围第1项之方法,其中基材于步骤(d)中系曝露至水蒸汽,然后于步骤(e)中曝露至硷蒸气。3.如申请专利范围第1项之方法,其中基材于步骤(d)中系曝露至硷蒸汽,然后于步骤(e)中曝露至水蒸气。4.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(e)系在压力低于大气压力下进行。5.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(e)系在大气压力下进行。6.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(e)系在压力高于大气压力下进行。7.如申请专利范围第1项之方法,其中溶剂组合物包含相对较高挥发性溶剂与相对较低挥发性溶剂。8.如申请专利范围第1项之方法,其中溶剂组合物包含相对较高挥发性溶剂与相对较低挥发性溶剂;至少一部份相对较高挥发性溶剂系在步骤(b)中蒸发,及至少一部份相对较低挥发性溶剂系在后续步骤(f)中蒸发。9.如申请专利范围第8项之方法,其中相对较高挥发性溶剂组合物具有沸点约120℃或较低,而相对较低挥发性溶剂组合物具有沸点约175℃或较高。10.如申请专利范围第8项之方法,其中相对较高挥发性溶剂组合物包含一或多种成份,选自包括甲醇、乙醇、正-丙醇、异丙醇、正-丁醇及其混合物,且其中相对较低挥发性溶剂组合物包含醇或多元醇。11.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)包括在混合物中掺合水。12.如申请专利范围第11项之方法,其中步骤(a)进一步包括在混合物中掺合催化量之酸。13.如申请专利范围第1项之方法,其中烷氧基矽烷包含一或多种成份,选自包括四乙氧基矽烷与四甲氧基矽烷。14.如申请专利范围第1项之方法,其中硷蒸气包含一或多种成份,选自包括氨、胺类及其混合物。15.如申请专利范围第1项之方法,其中水蒸汽对硷蒸汽之莫耳比范围为约1:3至约1:100。16.如申请专利范围第1项之方法,其中硷蒸气具有pKb从约低于0至约9。17.如申请专利范围第1项之方法,其中烷氧基矽烷具有下式:其中至少2个R基团系独立为C1至C4烷氧基,而若有其余R基团,则系独立选自包括氢、烷基、苯基、卤素、经取代之苯基。18.如申请专利范围第17项之方法,其中各R为甲氧基、乙氧基或丙氧基。19.如申请专利范围第1项之方法,其中毫微孔隙介电涂层具有介电常数为约1.1至约3.5。20.如申请专利范围第1项之方法,其中基材包括半导体材料。21.如申请专利范围第1项之方法,其中基材包括矽或砷化镓。22.一种经涂覆之基材,其系藉由如申请专利范围第1项之方法所形成。23.一种半导体装置,其系藉由一种方法制成,此方法包括(a)掺合至少一种烷氧基矽烷与溶剂组合物及选用之水,因此形成混合物及造成烷氧基矽烷之部份水解与部份缩合;(b)沈积该混合物至半导体基材上,同时蒸发至少一部份该溶剂组合物;(c)将半导体基材放在密封室中,并将该室抽气至压力低于大气压力;(d)在压力低于大气压力下,使半导体基材曝露至水蒸汽或硷蒸气;然后(e)若基材于步骤(d)中系曝露至硷蒸气,则使半导体基材曝露至水蒸汽,或若基材于步骤(d)中系曝露至水蒸汽,则使其曝露至硷蒸气,这会在该半导体基材上形成毫微孔隙介电矽涂层。图式简单说明:第一图为根据本发明薄膜加工处理期间反应室压力历程之图表。 |
