| 主权项 |
1.一种高压元件的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上已设置有至少一闸极结构;进行第一道离子植入步骤,以在该半导体基底中形成一第一掺杂区;形成一氧化层于该半导体基底上;进行第二道离子植入步骤,以在该半导体基底中形成一第二掺杂区;形成并定义一氮化矽层于该半导体基底上,其中该定义过的氮化矽层具有一开口;透过该定义过的氮化矽层,进行第三道离子植入步骤;以在该半导体基底中形成一第三掺杂区;形成一场氧化层于该氧化层上,其中该场氧化层的位置对应于该定义过的氮化矽层之该开口;移除该定义过的氮化矽层;以及进行第四道离子植入步骤,以在该场氧化层两侧之该半导体基底中形成一源/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中半导体基底系为一N型基底。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一掺杂区系为一P-型掺杂区。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第一掺杂区之浓度约≦1017/cm3。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二掺杂区系为一P型掺杂区。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二掺杂区之浓度约≦1018/cm3。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二掺杂区系位于该第一掺杂区之中。8.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第三掺杂区系为一P+型掺杂区。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第三掺杂区系位于该第一掺杂区之下方。10.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该源/汲极区系为一N+掺杂区。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化层与该场氧化层系以热氧化法形成。12.一种高压元件的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;形成一闸极氧化层于该半导体基底上;形成一多晶矽层于该半导体基底上;形成一第一氧化层于该半导体基底上;进行微影蚀刻步骤,以暴露出部分的该半导体基底;进行第一道离子植入步骤,以在暴露出的该半导体基底中形成一第一掺杂区;形成一第二氧化层于该半导体基底与该第一氧化层上;进行第二道离子植入步骤,以在该第一掺杂区中形成一第二掺杂区;形成一氮化矽层于该第二氧化层上;定义并蚀刻该氮化矽层,以暴露出部分位于该第二掺杂区上方的该第二氧化层;进行第三道离子植入步骤,以在该第二掺杂区下方形成一第三掺杂区,其中该第三掺杂区系对应于暴露出的该第二氧化层;形成一场氧化层于暴露出的该第二氧化层上;移除该氮化矽层;以及进行第四道离子植入步骤,以在该场氧化层两侧之该半导体基底中形成一源/汲极区。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中半导体基底系为一N型基底。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一掺杂区系为一P-型掺杂区。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一掺杂区之浓度约≦1017/cm3。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二掺杂区系为一P型掺杂区。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二掺杂区之浓度约≦1018/cm3。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第三掺杂区系为一P+型掺杂区。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该源/汲极区系为一N+掺杂区。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该闸极氧化层、第一氧化层、第二氧化层与该场氧化层系以热氧化法形成。21.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该闸极氧化层之厚度约为500-1500A。22.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该多晶矽层之厚度约为3000-7000A。23.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一氧化层之厚度约为300-700A。图式简单说明:第一图绘示为习知的一种互补式金氧半导体的结构剖面绘示图;以及第二图A至第二图F绘示依照本发明一较佳实施例的,一种高压元件的制造流程绘示图。 |
