| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离区之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一第一罩幕层;于该第一罩幕层上形成一第二罩幕层;将该第二罩幕层、该第一罩幕层与该垫氧化层图案化,以形成一开口;以该第二罩幕层为硬罩幕,在该基底中形成一沟渠;进行氧化制程,以在该沟渠所裸露的该基底表面形成一衬氧化层,并使裸露于该开口之该第一罩幕层周缘形成一氧化物防护层;于该基底上形成共形之一缓冲层;在该基底上形成一绝缘层,使其覆盖该缓冲层,并填满该沟渠;以该第一罩幕层为终止层,去除部份之该绝缘层、部份之该缓冲层与该第二罩幕层;去除该第一罩幕层;以及去除该垫氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该第一罩幕层之材质与该第二罩幕层、该垫氧化层之材质具有不同的蚀刻率。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该第一罩幕层之材质包括复晶矽。4.如申请专利范围第3项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,去除该第一罩幕层的方法包括非等向性蚀刻法。5.如申请专利范围第4项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除该第一罩幕层的方法包括乾式电浆蚀刻法。6.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该第二罩幕层之材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该缓冲层之材质与该垫氧化层具有不同的蚀刻率,且可以避免该沟渠发生侧壁氧化。8.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该缓冲层之材质包括氮化矽。9.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该绝缘层之材质包括氧化矽。10.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,以该第一罩幕层为终止层,去除部份之该绝缘层、部份该缓冲层与该第二罩幕层之步骤包括:以化学机械研磨法去除部份之该绝缘层,使留下之部份该绝缘层仍覆盖于该第二罩幕层上方;以及以该第一罩幕层为蚀刻终止层,进行一回蚀刻制程,以去除覆盖于该第二罩幕层之该绝缘层、部份之该缓冲层与该第二罩幕层。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该回蚀刻制程的方法包括反应性离子蚀刻法。12.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,去除该垫氧化层的方法包括非等向性蚀刻法。13.一种浅沟渠隔离区之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一复晶矽罩幕层;于该复晶矽罩幕层上形成一氧化矽罩幕层;将该氧化矽罩幕层、该复晶矽罩幕层与该垫氧化层图案化,以形成一开口;以该氧化矽罩幕层为硬罩幕,在该基底中形成一沟渠;进行氧化制程,以在该沟渠所裸露的该基底表面形成一衬氧化层,并使裸露于该开口之该复晶矽罩幕层周缘形成一氧化物防护层;于该基底上形成共形之一氮化矽缓冲层;在该基底上形成一绝缘层,使其覆盖该氮化矽缓冲层,并填满该沟渠;以该复晶矽罩幕层为终止层,去除部份之该绝缘层、部份之该缓冲层与该氧化矽罩幕层;去除该氧化矽罩幕层;以及去除该垫氧化层。14.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,以该复晶矽罩幕层为终止层,去除部份之该绝缘层、部份之该缓冲层与该氧化矽罩幕层之步骤包括:以化学机械研磨法去除部份该绝缘层,使留下之部份该绝缘层仍覆盖于该氧化矽罩幕层上方;以及以该复晶矽罩幕层为蚀刻终止层,进行一回蚀刻制程,以去除覆盖于该氧化矽罩幕层上方之该绝缘层、部份之该氮化矽缓冲层与该氧化矽罩幕层。15.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该回蚀刻制程的方法包括氧化物反应性离子蚀刻法。16.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该回蚀刻制程的方法包括对该氮化矽缓冲层具有低选择比、而对该复晶矽罩幕层具有高选择比之氧化物反应性离子蚀刻法。17.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,去除该复晶矽罩幕层的方法包括非等向性蚀刻法。18.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除该复晶矽罩幕层的方法包括乾式电浆蚀刻法。19.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该绝缘层之材质包括氧化矽。20.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,去除该垫氧化层的方法包括非等向性蚀刻。图式简单说明:第一图A至第一图E是习知一种浅沟渠隔离区制造流程的剖面图;以及第二图A至第二图F是依照本发明一较佳实施例之浅沟渠隔离区制造流程的剖面图。 |
