| 主权项 |
1.一种隔离用浅沟渠之制造方法,包括:提供一基底;形成一垫氧化层于该基底上;形成一氮化矽层于该垫氧化层上;形成一顶氧化层于该氮化矽层上;定义一主动区域,并移去该主动区域外之该氮化矽层与该顶氧化层;形成一间隙壁于该主动区域两侧与该垫氧化层上;对该间隙壁外侧之该基底内部进行蚀刻,用以形成该沟渠;形成一衬氧化层在该沟渠内部之该基底上;形成一填入氧化层于该沟渠与该主动区域上;研磨该填入氧化层、该顶氧化层,直到该氮化矽层及该间隙壁内部;移去剩余之该氮化矽层;以及移去该垫氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中移去该垫氧化层系使用一氟化氢蚀刻。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中移去该氮化矽层系使用一湿蚀刻。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中研磨该填入氧化层、该顶氧化层系使用一化学机械研磨法。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中研磨直到该氮化矽层及该间隙壁内部,所剩余之该氮化矽层及该间隙壁厚度大于该垫氧化层厚度。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该衬氧化层形成,系使用一热氧化法。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该间隙壁形成,系在该主动区域与该基底上,先形成一氧化层,再经反应性离子蚀刻法进行蚀刻所形成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中定义该主动区域,系在该顶氧化层上,加一光阻,并将未在光阻保护下之氮化矽层与该顶氧化层去除。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化矽层厚度为1000A至2000A。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该垫氧化层厚度为100A至500A。图式简单说明:第一图a至第一图g为习知隔离用浅沟渠之制造程序的图形;以及第二图a至第二图g为本发明之隔离用浅沟渠之制造程序的图形。 |
