| 主权项 |
1.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,该模组具有一标称光径,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其可移式安装在 该谱线窄化模组的一光径内,对于各脉冲选择至少 一中心波长而其至少部分地由含有各别脉冲之该 雷射光脉冲束在该散布性波长选择光学部件上之 入射角所决定; 一第一调整机构,其可部分地操作以藉由选择该含 有脉冲的雷射光脉冲束朝向该散布性中心波长选 择光学部件之一透射角来选择该含有各别脉冲的 雷射光脉冲束在该散布性中心波长选择光学部件 上之入射角; 一第二调整机构,其可部分地操作以藉由改变该散 布性中心波长选择光学部件相对于该谱线窄化模 组的标称光径之位置来选择该含有各别脉冲的雷 射光脉冲束之入射角; 其中该第二调整机构系粗略地选择用于该中心波 长之一数値而该第一调整机构系较细微地选择用 于该中心波长之数値。 2.如申请专利范围第1项之谱线窄化模组,进一步包 含: 该谱线窄化模组的光径中之至少一束扩张及重新 导引棱镜; 该第一调整机藉由改变该至少一束扩张棱镜相对 于该谱线窄化模组的标称光径之位置来选择该雷 射光脉冲束的至少一第一经部分性界定部之一入 射角。 3.如申请专利范围第1项之谱线窄化模组,进一步包 含: 该第一及第二调整机构系以来自一中心波长侦测 器之回馈为基础在一迸发期间由一中心波长控制 器所控制,该中心波长侦测器系侦测该脉冲迸发中 之至少另一脉冲的中心波长而该控制器系对于该 迸发中的至少另一脉冲以一采用经侦测的中心波 长之演算法为基础来提供该回馈。 4.如申请专利范围第2项之谱线窄化模组,进一步包 含: 该第一及第二调整机构系以来自一中心波长侦测 器之回馈为基础在一迸发期间由一中心波长控制 器所控制,该中心波长侦测器系侦测该脉冲迸发中 之至少另一脉冲的中心波长而该控制器系对于该 迸发中的至少另一脉冲以一采用经侦测的中心波 长之演算法为基础来提供该回馈。 5.如申请专利范围第1项之谱线窄化模组,进一步包 含: 该第一调整机构系包含一机电过程定位机构及一 包含一当致动时将改变位置或形状的可致动材料 之细微定位机构。 6.如申请专利范围第2项之谱线窄化模组,进一步包 含: 该第一调整机构系包含一机电过程定位机构及一 包含一当致动时将改变位置或形状的可致动材料 之细微定位机构。 7.如申请专利范围第3项之谱线窄化模组,进一步包 含: 该第一调整机构系包含一机电过程定位机构及一 包含一当致动时将改变位置或形状的可致动材料 之细微定位机构。 8.如申请专利范围第4项之谱线窄化模组,进一步包 含: 该第一调整机构系包含一机电过程定位机构及一 包含一当致动时将改变位置或形状的可致动材料 之细微定位机构。 9.如申请专利范围第5项之谱线窄化模组,进一步包 含: 该可致动材料系选自包括下列各物的群组:电致动 性、磁致动性及声致动性材料。 10.如申请专利范围第6项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系选自包括下列各物的群组:电致动 性、磁致动性及声致动性材料。 11.如申请专利范围第7项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系选自包括下列各物的群组:电致动 性、磁致动性及声致动性材料。 12.如申请专利范围第8项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系选自包括下列各物的群组:电致动 性、磁致动性及声致动性材料。 13.如申请专利范围第9项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系包含一压电材料。 14.如申请专利范围第10项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系包含一压电材料。 15.如申请专利范围第11项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系包含一压电材料。 16.如申请专利范围第12项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系包含一压电材料。 17.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,该模组具有一标称光径,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其沿着该谱线窄 化模组的一光径而固定式安装,对于各脉冲选择至 少一中心波长,其至少部分地由该含有各别脉冲之 雷射光脉冲束在一散布性波长选择光学部件上之 入射角所决定; 一第一调整机构,其可部分地操作以藉由选择该含 有脉冲的雷射光脉冲束朝向该散布性中心波长选 择光学部件之一透射角来选择该含有各别脉冲的 雷射光脉冲束在该散布性中心波长选择光学部件 上之一入射角; 一第二调整机构,其可部分地操作以藉由改变该含 有脉冲之雷射光脉冲束的至少一经空间性界定部 朝向该第一调整机构之透射角来选择该含有各别 脉冲的雷射光脉冲束之至少一入射角; 其中该第一调整机构系粗略地选择用于该中心波 长之一数値而该第二调整机构系较细微地选择用 于该中心波长之数値。 18.如申请专利范围第17项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系包含独立选择性折射光 学元件; 该第一及第二调整机构系藉由改变该第一束扩张 机构及该第二束扩张机构相对于该谱线窄化模组 的标称光径之各别位置来选择该雷射光脉冲束在 该散布性光学元件上之一入射角。 19.如申请专利范围第17项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系以来自一中心波长侦测 器的回馈为基础在一迸发期间由一中心波长控制 器所控制,该中心波长侦测器系侦测该脉冲迸发中 之至少另一脉冲的中心波长而该控制器系对于该 迸发中的至少另一脉冲以一采用经侦测的中心波 长之演算法为基础来提供回馈。 20.如申请专利范围第18项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系以来自一中心波长侦测 器的回馈为基础在一迸发期间由一中心波长控制 器所控制,该中心波长侦测器系侦测该脉冲迸发中 之至少另一脉冲的中心波长而该控制器系对于该 迸发中的至少另一脉冲以一采用经侦测的中心波 长之演算法为基础来提供回馈。 21.如申请专利范围第17项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系各包含一机电过程定位 机构及一包含一当致动时将改变位置或形状的可 致动材料之细微定位机构。 22.如申请专利范围第18项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系各包含一机电过程定位 机构及一包含一当致动时将改变位置或形状的可 致动材料之细微定位机构。 23.如申请专利范围第19项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系各包含一机电过程定位 机构及一包含一当致动时将改变位置或形状的可 致动材料之细微定位机构。 24.如申请专利范围第20项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系各包含一机电过程定位 机构及一包含一当致动时将改变位置或形状的可 致动材料之细微定位机构。 25.如申请专利范围第21项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系选自包括下列各物的群组:电致动 性、磁致动性及声致动性材料。 26.如申请专利范围第22项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系选自包括下列各物的群组:电致动 性、磁致动性及声致动性材料。 27.如申请专利范围第23项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系选自包括下列各物的群组:电致动 性、磁致动性及声致动性材料。 28.如申请专利范围第24项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系选自包括下列各物的群组:电致动 性、磁致动性及声致动性材料。 29.如申请专利范围第25项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系为一压电材料。 30.如申请专利范围第26项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系为一压电材料。 31.如申请专利范围第27项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系为一压电材料。 32.如申请专利范围第28项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料系为一压电材料。 33.如申请专利范围第17项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 34.如申请专利范围第18项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 35.如申请专利范围第19项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 36.如申请专利范围第20项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 37.如申请专利范围第21项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 38.如申请专利范围第22项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 39.如申请专利范围第23项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 40.如申请专利范围第24项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 41.如申请专利范围第25项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 42.如申请专利范围第26项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 43.如申请专利范围第27项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 44.如申请专利范围第28项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 45.如申请专利范围第29项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 46.如申请专利范围第30项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 47.如申请专利范围第31项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 48.如申请专利范围第32项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构各包含一束扩张棱镜。 49.如申请专利范围第17项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一第一透射角选择机构,其由 一机电定位机构构成而无细微调整定位机构; 该第二调整机构包含一第二透射角选择机构,其由 一可致动材料定位机构构成而无过程调整定位机 构。 50.如申请专利范围第18项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一第一透射角选择机构,其由 一机电定位机构构成而无细微调整定位机构; 该第二调整机构包含一第二透射角选择机构,其由 一可致动材料定位机构构成而无过程调整定位机 构。 51.如申请专利范围第19项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一第一透射角选择机构,其由 一机电定位机构构成而无细微调整定位机构; 该第二调整机构包含一第二透射角选择机构,其由 一可致动材料定位机构构成而无过程调整定位机 构。 52.如申请专利范围第20项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一第一透射角选择机构,其由 一机电定位机构构成而无细微调整定位机构; 该第二调整机构包含一第二透射角选择机构,其由 一可致动材料定位机构构成而无过程调整定位机 构。 53.如申请专利范围第49项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料定位机构包含一当致动时将改变位 置或形状之可致动材料。 54.如申请专利范围第50项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料定位机构包含一当致动时将改变位 置或形状之可致动材料。 55.如申请专利范围第51项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料定位机构包含一当致动时将改变位 置或形状之可致动材料。 56.如申请专利范围第52项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料定位机构包含一当致动时将改变位 置或形状之可致动材料。 57.如申请专利范围第53项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料选自包括下列各物的群组:电致动性 、磁致动性及声致动性材料。 58.如申请专利范围第54项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料选自包括下列各物的群组:电致动性 、磁致动性及声致动性材料。 59.如申请专利范围第55项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料选自包括下列各物的群组:电致动性 、磁致动性及声致动性材料。 60.如申请专利范围第56项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料选自包括下列各物的群组:电致动性 、磁致动性及声致动性材料。 61.如申请专利范围第57项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料包含一压电材料。 62.如申请专利范围第58项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料包含一压电材料。 63.如申请专利范围第59项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料包含一压电材料。 64.如申请专利范围第60项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料包含一压电材料。 65.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,该模组具有一标称光径,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其安装在该谱线 窄化模组的一光径内,对于各脉冲选择至少一中心 波长,其至少部分地由该含有各别脉冲之雷射光脉 冲束在该散布性波长选择光学部件的一散布性光 学面上之入射角所决定; 一快速调整机构,其可操作以藉由选择该含有脉冲 的雷射光脉冲束朝向该散布性中心波长选择光学 部件之一透射角来选择该含有各别脉冲的雷射光 脉冲束在该散布性中心波长选择光学部件上之入 射角; 该快速调整机构包含单一的透射性及反射性光学 元件。 66.如申请专利范围第65项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该透射性及反射性光学部件包含一束扩张棱镜,其 至少一面涂覆有一全反射性涂层以将该束反射回 到该棱镜内前往另一面在其中发生全内反射而将 该束反射至一离开该棱镜之表面。 67.如申请专利范围第65项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该快速调整机构以来自一中心波长侦测器的回馈 为基础在一迸发期间由一中心波长控制器所控制, 该中心波长侦测器系侦测该脉冲迸发中之至少另 一脉冲的中心波长而该控制器系对于该迸发中的 至少另一脉冲以一采用经侦测的中心波长之演算 法为基础来提供回馈。 68.如申请专利范围第66项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该快速调整机构以来自一中心波长侦测器的回馈 为基础在一迸发期间由一中心波长控制器所控制, 该中心波长侦测器系侦测该脉冲迸发中之至少另 一脉冲的中心波长而该控制器系对于该迸发中的 至少另一脉冲以一采用经侦测的中心波长之演算 法为基础来提供回馈。 69.如申请专利范围第67项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该快速调整机构系包含一机电过程定位机构及一 包含一当致动时将改变位置或形状的可致动材料 之细微定位机构。 70.如申请专利范围第68项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该快速调整机构系包含一机电过程定位机构及一 包含一当致动时将改变位置或形状的可致动材料 之细微定位机构。 71.如申请专利范围第69项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料定位机构系包含一当致动时将改变 位置或形状之可致动材料。 72.如申请专利范围第70项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料定位机构系包含一当致动时将改变 位置或形状之可致动材料。 73.如申请专利范围第71项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料选自包括下列各物的群组:电致动性 部件、磁致动性部件及声致动性部件。 74.如申请专利范围第72项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料选自包括下列各物的群组:电致动性 部件、磁致动性部件及声致动性部件。 75.如申请专利范围第73项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料包含一压电材料。 76.如申请专利范围第74项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料包含一压电材料。 77.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,该模组具有一标称光径,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其可移式安装在 该谱线窄化模组的一光径内,对于各脉冲选择至少 一中心波长,其至少部分地由沿着在一第一方向中 延伸之该散布性中心波长选择光学部件的一第一 长形纵向延伸散布性表面之该含有各别脉冲之雷 射光脉冲束在该散布性波长选择光学部件上的入 射角所决定; 一平移机构,其用以在一概括正交于该第一方向之 第二方向中充分地平移该光栅以使该散布性中心 波长选择光学部件的一第二未使用长形纵向延伸 散布性表面曝露于该雷射光脉冲束。 78.如申请专利范围第77项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该散布性中心波长选择光学部件包含一光栅。 79.如申请专利范围第77项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该散布性中心波长选择光学部件包含一阶梯光栅 。 80.如申请专利范围第78项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该散布性中心波长选择光学部件包含一阶梯光栅 。 81.如申请专利范围第77项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该平移机构系平移该散布性中心波长选择光学部 件以在该散布性中心波长选择光学部件的第一长 形纵向延伸散布性表面之寿命终点曝露出该散布 性中心波长选择光学部件的第二未使用长形纵向 延伸散布性表面。 82.如申请专利范围第78项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该平移机构系平移该散布性中心波长选择光学部 件以在该散布性中心波长选择光学部件的第一长 形纵向延伸散布性表面之寿命终点曝露出该散布 性中心波长选择光学部件的第二未使用长形纵向 延伸散布性表面。 83.如申请专利范围第79项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该平移机构系平移该散布性中心波长选择光学部 件以在该散布性中心波长选择光学部件的第一长 形纵向延伸散布性表面之寿命终点曝露出该散布 性中心波长选择光学部件的第二未使用长形纵向 延伸散布性表面。 84.如申请专利范围第80项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该平移机构系平移该散布性中心波长选择光学部 件以在该散布性中心波长选择光学部件的第一长 形纵向延伸散布性表面之寿命终点曝露出该散布 性中心波长选择光学部件的第二未使用长形纵向 延伸散布性表面。 85.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,该模组具有一标称光径,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其可移式安装在 该谱线窄化模组的一光径内,对于各脉冲选择至少 一中心波长,其至少部分地由该含有各别脉冲之雷 射光脉冲束在该散布性波长选择光学部件上之入 射角所决定; 一第一调整机构,其可部分地操作以藉由选择该含 有脉冲的雷射光脉冲束的至少一第一经空间性界 定部朝向一第二调整机构之一透射角来选择该含 有各别脉冲的雷射光脉冲束之至少一第一经空间 性界定部在该散布性中心波长选择光学部件上之 一入射角; 该第二调整机构可部分地操作以藉由改变该雷射 光脉冲束的至少一第一经空间性界定部在该散布 性中心波长选择光学部件上之一反射角来选择该 含有各别脉冲的雷射光脉冲束的至少一第一经空 间性界定部之入射角; 其中该第一调整机构系粗略地选择用于该中心波 长之一数値而该第二调整机构系较细微地选择用 于该中心波长之数値。 86.如申请专利范围第85项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系以来自一中心波长侦测 器的回馈为基础在一迸发期间由一中心波长控制 器所控制,该中心波长侦测器系侦测该脉冲迸发中 之至少另一脉冲的中心波长而该控制器系对于该 迸发中的至少另一脉冲以一采用经侦测的中心波 长之演算法为基础来提供回馈。 87.如申请专利范围第85项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系各包含一机电过程定位 机构及一包含一当致动时将改变位置或形状的可 致动材料之细微定位机构。 88.如申请专利范围第86项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一及第二调整机构系各包含一机电过程定位 机构及一包含一当致动时将改变位置或形状的可 致动材料之细微定位机构。 89.如申请专利范围第87项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料选自包括下列各物的群组:电致动性 、磁致动性及声致动性材料。 90.如申请专利范围第88项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料选自包括下列各物的群组:电致动性 、磁致动性及声致动性材料。 91.如申请专利范围第89项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料为一压电材料。 92.如申请专利范围第90项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该可致动材料为一压电材料。 93.如申请专利范围第85项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一束扩张棱镜。 94.如申请专利范围第86项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一束扩张棱镜。 95.如申请专利范围第87项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一束扩张棱镜。 96.如申请专利范围第88项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一束扩张棱镜。 97.如申请专利范围第89项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一束扩张棱镜。 98.如申请专利范围第90项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一束扩张棱镜。 99.如申请专利范围第91项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一束扩张棱镜。 100.如申请专利范围第92项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第一调整机构包含一束扩张棱镜。 101.如申请专利范围第93项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第二调整机构包含一快速调整镜面。 102.如申请专利范围第94项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第二调整机构包含一快速调整镜面。 103.如申请专利范围第95项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第二调整机构包含一快速调整镜面。 104.如申请专利范围第96项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第二调整机构包含一快速调整镜面。 105.如申请专利范围第97项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第二调整机构包含一快速调整镜面。 106.如申请专利范围第98项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第二调整机构包含一快速调整镜面。 107.如申请专利范围第99项之谱线窄化模组,进一步 包含: 该第二调整机构包含一快速调整镜面。 108.如申请专利范围第100项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第二调整机构包含一快速调整镜面。 109.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,该模组具有一标称光径,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其可移式安装在 该谱线窄化模组的一光径内,对于各脉冲选择至少 一中心波长,其至少部分地由该含有各别脉冲之雷 射光脉冲束在该散布性波长选择光学部件上之入 射角所决定; 一第一调整机构,其可部分地操作以藉由选择该含 有脉冲之雷射光脉冲束的各别经空间性界定部相 对于一通过该谱线窄化模组的标称光径朝向该散 布性中心波长选择光学部件之一第一透射角来选 择该含有各别脉冲的雷射光脉冲束之一第一经空 间性界定部在该散布性中心波长选择光学部件上 之一第一入射角,及一第二调整机构,其可操作以 藉由选择该含有脉冲之雷射光脉冲束的各别经空 间性界定部相对于一通过该谱线窄化模组的标称 光径朝向该散布性中心波长选择光学部件之一第 二透射角来选择该雷射光脉冲的一第二经空间性 界定部之一第二入射角;该调整机构系选择中心波 长以使该雷射光脉冲束中之脉冲的第一及第二经 空间性界定部各者具有重叠的频谱,而形成一经合 并频谱,重叠程度经选择可在该经合并频谱的频宽 之一第一测量与该经合并频谱的频宽之一第二测 量之间达成一所需要的比値。 110.如申请专利范围第109项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第一调整机构系包含一以一选定量插入该标称 光径内之可变折射性光学元件而界定对于该雷射 光脉冲束的第一经空间性界定部之第一入射角而 该第二调整机构系藉由不修改该雷射光脉冲束脉 冲的第二经空间性界定部之透射角来选择第二入 射角。 111.如申请专利范围第109项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第一调整机构系包含一以一第一选定量插入该 标称光径内之第一可变折射性光学元件而界定对 于该雷射光脉冲束的第一经空间性界定部之第一 入射角而该第二调整机构系包含一以一第二选定 量插入该标称光径内之第二可变折射性光学元件 而界定对于该雷射光脉冲束的第二经空间性界定 部之一第二入射角。 112.如申请专利范围第110项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第一调整机构系包含一具有一入射或透射表面 之光学元件而对于一在沿着与该光学元件插入该 标称光径内的方向呈现平行之该光学元件的一纵 轴线之复数个选定位置的一者处入射于该光学元 件上之雷射光脉冲束界定了相对于该标称光径之 复数个折射性透射角。 113.如申请专利范围第111项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第一及第二调整机构系各包含一具有一入射或 透射表面之光学元件而对于一在沿着与该光学元 件插入该标称光径内的方向呈现平行之该光学元 件的一纵轴线之复数个选定位置的一者处入射于 该光学元件上之雷射光脉冲束界定了相对于该标 称光径之复数个折射性透射角。 114.如申请专利范围第112项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第一调整机构系包含入射或透射表面,其包含复 数个相邻的楔件,各该等楔件系界定了通过该等复 数个相邻楔件的各别一者之该等雷射光脉冲束的 一各别的折射性透射角。 115.如申请专利范围第113项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第一及第二调整机构系各包含入射或透射表面, 其包含复数个相邻的楔件,各该等楔件系界定了通 过该等复数个相邻楔件的各别一者之该等雷射光 脉冲束的一各别的折射性透射角。 116.如申请专利范围第112项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第一调整机构系包含入射或透射表面,其包含一 弯曲表面而对于沿着该纵轴线通过该光学元件之 该雷射光脉冲束的一各别的透射点界定了一有效 折射性透射角。 117.如申请专利范围第113项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该第一及第二调整机构系包含入射或透射表面,其 包含一弯曲表面而对于沿着该纵轴线通过该光学 元件之该雷射光脉冲束的一各别的透射点界定了 一有效折射性透射角。 118.如申请专利范围第114项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该弯曲表面为一圆柱形表面。 119.如申请专利范围第115项之谱线窄化模组,进一 步包含: 该弯曲表面为一圆柱形表面。 120.一种用于在一氟气DUV雷射装置光径中移除以气 体形式包含的不需要的材料或以气体形式包含的 其化合物之方法,包含以下步骤: 包括一材料,该材料系在DUV光或热或两者影响下受 到解离的该雷射之光径中曝露于漫射DUV光且能够 从该气体形式的材料或其化合物吸除该不需要的 材料。 121.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化方法,该模组具有一标称光径,包含: 利用将一散布性中心波长选择光学部件可移式安 装于一谱线窄化模组的一光径内,对于各脉冲选择 至少一中心波长,其至少部分地由该含有各别脉冲 之雷射光脉冲束在该散布性波长选择光学部件上 之入射角所决定; 以一第一调整机构藉由选择该含有脉冲的雷射光 脉冲束朝向该散布性中心波长选择光学部件之一 透射角来选择该含有各别脉冲的雷射光脉冲束在 该散布性中心波长选择光学部件上之一入射角; 以一第二调整机构部分地藉由改变该散布性中心 波长选择光学部件相对于该标称光径之位置来选 择该含有各别脉冲的雷射光脉冲束之入射角; 利用该第二调整机构粗略地选择用于该中心波长 之一数値且利用该第一调整机构较细微地选择用 于该中心波长之数値。 图式简单说明: 第1图显示一先前技艺谱线窄化模组之俯视平面图 ; 第2图显示根据本发明的一实施例之态样之一谱线 窄化模组的部分示意俯视平面图; 第3图显示根据本发明的一实施例之态样之一谱线 窄化模组的示意俯视平面图; 第4图显示根据本发明的一实施例之态样之一谱线 窄化模组的示意俯视平面图; 第5图显示根据本发明的一实施例之态样之一谱线 窄化模组的示意俯视平面图; 第6图显示根据本发明的一实施例之态样之一旋转 致动器的部分示意俯视平面图; 第7图显示根据本发明的一实施例之态样之一光栅 旋转机构的部分示意立体正视图; 第8图显示根据第7图之光栅旋转机构的立体侧视 图; 第9图显示根据第7图之光栅旋转机构的更详细立 体仰后视图; 第10A-C图分别显示根据第7图的本发明之光栅旋转 机构的一实施例之态样之一光栅基板的平面图、 侧视及仰视图; 第11A及11B图分别显示根据第7图的本发明之光栅旋 转机构的一实施例之态样之一光栅基板的平面俯 视图及侧视图; 第12图显示第11A及B图的安装板之位移量値的绘图; 第13图显示身为时间的一函数之一气体放电雷射 系统振荡器腔穴的光输出; 第14图更详细地显示包含在根据第11图的安装板上 之根据本发明的一实施例之态样之一挠屈安装; 第15图示意地显示根据本发明的一实施例之态样 之一棱镜安装板的立体俯视图; 第16图示意地显示根据本发明的一实施例之态样 之一棱镜安装板的立体图; 第17图显示包括一氧吸收剂装置之本发明的一实 施例之态样之部分示意俯视图;及 第18图显示吸收剂材料vs.温度的效力之图表。 |
