发明名称 半导体晶片与基板之打线结构及其方法
摘要 一种半导体晶片与基板之打线结构,主要包含一基板、一半导体晶片、一第一焊线、一第二焊线以及一凸块。该半导体晶片系至少具有一第一焊垫以及一第二焊垫,该第一焊线之一第一起始焊点系形成于该第一焊垫上,该第一焊线之一第一终结焊点系形成于该基板之一共用连接垫上,该凸块系设置于该第一终结焊点上,该第二焊线之一第二起始焊点系形成于该第二焊垫上,该第二焊线之一第二终结焊点系键合于该凸块。藉由该凸块设置于该第一焊线之该第一终结焊点上及该第二焊线之该第二终结焊点键合于该凸块,以避免连接于该共用连接垫之该第一焊线、第二焊线与相邻焊线接触而发生短路,同时可增加该第一终结焊点与该第二终结焊点之键合强度。
申请公布号 TWI281245 申请公布日期 2007.05.11
申请号 TW094147742 申请日期 2005.12.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 钟国升;方惠卿;洪志成
分类号 H01L23/49(2006.01) 主分类号 H01L23/49(2006.01)
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 1.一种半导体晶片与基板之打线结构,包含: 一基板,其系具有一共用连接垫; 一半导体晶片,系设置于该基板上,其至少具有一 第一焊垫以及一第二焊垫; 一第一焊线,其系具有一第一起始焊点以及一第一 终结焊点,其中该第一起始焊点系形成于该第一焊 垫上,该第一终结焊点系形成于该共用连接垫上; 一第一凸块,其系设置于该第一终结焊点上;以及 一第二焊线,其系具有一第二起始焊点以及一第二 终结焊点,其中该第二起始焊点系形成于该第二焊 垫上,该第二终结焊点系键合于该第一凸块。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片与基板 之打线结构,其中该第一终结焊点与该第二终结焊 点系为垂直向对应。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片与基板 之打线结构,其中该第一凸块系由打线形成并压焊 于该第一终结焊点。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片与基板 之打线结构,其另包含有一第二凸块,其系设置于 该第二终结焊点上。 5.如申请专利范围第4项所述之半导体晶片与基板 之打线结构,其中该半导体晶片另具有一第三焊垫 ,且该打线结构另包含有一第三焊线,其系具有一 第三起始焊点以及一第三终结焊点,其中该第三起 始焊点系形成于该第三焊垫上,该第三终结焊点系 形成于该第二凸块上。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片与基板 之打线结构,其中该第一焊垫与该第二焊垫系为相 邻之焊垫。 7.一种半导体晶片与基板之打线方法,包含: 提供一基板,该基板系具有一共用连接垫; 设置一半导体晶片于该基板上,该半导体晶片系至 少具有一第一焊垫以及一第二焊垫; 打线形成一第一焊线,该第一焊线系具有一第一起 始焊点以及一第一终结焊点,其中该第一起始焊点 系形成于该第一焊垫上,该第一终结焊点系形成于 该共用连接垫上; 设置一第一凸块于该第一终结焊点上;以及 打线形成一第二焊线,该第二焊线系具有一第二起 始焊点以及一第二终结焊点,其中该第二起始焊点 系形成于该第二焊垫上,该第二终结焊点系键合于 该第一凸块。 8.如申请专利范围第7项所述之半导体晶片与基板 之打线方法,其中该第一终结焊点与该第二终结焊 点系为垂直向对应。 9.如申请专利范围第7项所述之半导体晶片与基板 之打线方法,其中该第一凸块系由打线形成并压焊 于该第一终结焊点。 10.如申请专利范围第7项所述之半导体晶片与基板 之打线方法,其另包含有:设置一第二凸块于该第 二终结焊点上。 11.如申请专利范围第10项所述之半导体晶片与基 板之打线方法,其中该半导体晶片另具有一第三焊 垫,且该打线方法另包含有:打线形成一第三焊线, 该第三焊线系具有一第三起始焊点以及一第三终 结焊点,其中该第三起始焊点系形成于该第三焊垫 上,该第三终结焊点系形成于该第二凸块上。 12.如申请专利范围第7项所述之半导体晶片与基板 之打线方法,其中该第一焊垫与该第二焊垫系为相 邻之焊垫。 图式简单说明: 第1图:习知半导体晶片与基板之打线结构之上视 图。 第2图:依据本发明之第一具体实施例,一种半导体 晶片与基板之打线结构之上视图。 第3图:依据本发明之第一具体实施例,该半导体晶 片与基板之打线结构之截面示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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