高耦合比记忆体之构造

摘要

一种记忆体之构造，包括提供一基底，该基底上已具有有一第一介电层与一图案化之第一罩幕层，一第一导体层具有于该第一介电层之上，一第二导体层具有于该第一导体层之上，并填满该些隔离结构间之空隙，有一图案化之一第二罩幕层于该第二导体层之上，以具有多个凹突形状，具有一第二介电层于该基底表面，以及具有一第三导体层于该第二介电层之上。

主权项

1.一种记忆体之构造,包括: 提供一基底,该基底上已具有有一第一介电层与一 图案化之第一罩幕层; 一第一导体层具有于该第一介电层之上; 一第二导体层具有于该第一导体层之上,并填满该 些隔离结构间之空隙; 具有有一图案化之一第二罩幕层于该第二导体层 之上; 以具有多个凹突形状; 具有一第二介电层于该基底表面;以及 具有一第三导体层于该第二介电层之上。 图式简单说明: 图1A是绘示之本创作一实施例之非挥发性记忆体 的制造流程剖面图。