非挥发性记忆体之构造

摘要

一种记忆体之构造，例如是先提供基底，基底中具有多个隔离沟渠。于曝露出部分之基底上具有第一介电层。另外，第一导体层形成于第一介电层之上。接着，第二导体层于第一导体层之上，使隔离结构与第一介电层之高度相约。然后，第二介电层于基底表面。继而，第三导体层于第二介电层之上。

主权项

1.一种记忆体之构造,包括: 一基底,具有多个隔离沟渠; 于曝露出部分之该基底具有一第一介电层; 一第一导体层于该第一介电层之上; 一第二导体层于该第一导体层之上,并填满该些隔 离结构间之空隙; 该些隔离结构与该第一介电层之高度相约; 一第二介电层于该基底表面;以及 一第三导体层于该第二介电层之上。 图式简单说明: 图1A是绘示之本创作一实施例之非挥发性记忆体 之构造剖图。