| 主权项 |
1.一种画素结构的制作方法,包括: 在一基板上形成一闸极; 在该基板上形成一闸绝缘层以覆盖该闸极; 于该闸绝缘层上及该闸极上方依序形成一图形化 半导体层与一图形化金属层; 在该基板上形成一第一绝缘层以覆盖该图形化金 属层; 图形化该第一绝缘层,进而暴露出部分该图形化金 属层;以及 在该基板上形成一画素电极,且该画素电极与被暴 露出之该图形化金属层接触,并同时移除了位于该 闸极上方之该图形化金属层与部分厚度的该图形 化半导体层,以定义出一源极、一汲极以及一通道 层,且该画素电极会与该汲极电性连接,而该闸极 、该源极与该汲极构成一薄膜电晶体。 2.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制作方 法,更包括在该薄膜电晶体上形成另一绝缘层。 3.如申请专利范围第2项所述之画素结构的制作方 法,其中在该薄膜电晶体上形成另一绝缘层之方法 包括: 在该基板上形成一第二绝缘层,其覆盖该薄膜电晶 体与该画素电极; 于该第二绝缘层上形成一光阻层; 对该光阻层进行一背面曝光制程以及一显影制程, 以形成一图形化光阻层,该图形化光阻层覆盖住该 薄膜电晶体;以及 利用该图形化光阻层做为一蚀刻罩幕,以移除覆盖 在该画素电极上之该第二绝缘层,而保留下覆盖在 该薄膜电晶体上之该第二绝缘层。 4.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制作方 法,其中该图形化半导体层包括一图形化通道材质 层与一图形化欧姆接触材质层。 5.如申请专利范围第4项所述之画素结构的制作方 法,其中该图形化通道材质层之材质包括非晶矽。 6.如申请专利范围第4项所述之画素结构的制作方 法,其中该图形化欧姆接触材质层之材质包括经掺 杂的非晶矽。 7.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制作方 法,其中在该基板上形成该画素电极之方法包括进 行一溅镀制程与一图形化制程。 8.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制作方 法,其中该画素电极之材质包括铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)或铟锌氧化物(indium zinc oxide, IZO)。 9.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制作方 法,其中该基板之材质包括玻璃。 10.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制作方 法,其中该闸绝缘层之材质包括氮化矽或氧化矽。 11.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制作方 法,其中该闸极材料层之材质包括金属。 12.一种四道光罩画素结构的制作方法,包括: 进行一第一道光罩制程,以在一基板上形成一闸极 ; 在该基板上形成一闸绝缘层以覆盖该闸极; 进行一第二道光罩制程,以于该闸绝缘层上及该闸 极上方依序形成一图形化半导体层与一图形化金 属层; 在该基板上形成一第一绝缘层以覆盖该图形化金 属层; 进行一第三道光罩制程,以图形化该第一绝缘层, 进而暴露出部分该图形化金属层;以及 进行一第四道光罩制程,以在该基板上形成一画素 电极,且该画素电极与被暴露出之该图形化金属层 接触,并同时移除了位于该闸极上方之该图形化金 属层与部分厚度的该图形化半导体层,以定义出一 源极、一汲极以及一通道层,且该画素电极会与该 汲极电性连接,而该闸极、该源极与该汲极构成一 薄膜电晶体。 13.如申请专利范围第12项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,更包括在该薄膜电晶体上形成另一 绝缘层。 14.如申请专利范围第13项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中在该薄膜电晶体上形成另一绝 缘层之方法包括: 在该基板上形成一第二绝缘层,其覆盖该薄膜电晶 体与该画素电极; 于该第二绝缘层上形成一光阻层; 对该光阻层进行一背面曝光制程以及一显影制程, 以形成一图形化光阻层,该图形化光阻层覆盖住该 薄膜电晶体;以及 利用该图形化光阻层做为一蚀刻罩幕,以移除覆盖 在该画素电极上之该第二绝缘层,而保留下覆盖在 该薄膜电晶体上之该第二绝缘层。 15.如申请专利范围第12项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中该图形化半导体层包括一图形 化通道材质层与一图形化欧姆接触材质层。 16.如申请专利范围第15项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中该图形化通道材质层之材质包 括非晶矽。 17.如申请专利范围第15项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中该图形化欧姆接触材质层之材 质包括经掺杂的非晶矽。 18.如申请专利范围第12项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中在该基板上形成该画素电极之 方法包括进行一溅镀制程与一图形化制程。 19.如申请专利范围第12项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中该画素电极之材质包括铟锡氧 化物(indium tin oxide, ITO)或铟锌氧化物(indium zinc oxide, IZO)。 20.如申请专利范围第12项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中该基板之材质包括玻璃。 21.如申请专利范围第12项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中该闸绝缘层之材质包括氮化矽 或氧化矽。 22.如申请专利范围第12项所述之四道光罩画素结 构的制作方法,其中该闸极材料层之材质包括金属 。 图式简单说明: 图1A~1E绘示为习知中制作薄膜电晶体之步骤流程 剖面图。 图2绘示为半透光光罩之示意图。 图3A~3M绘示为本发明一较佳实施例中一种画素结 构的制作方法之步骤流程剖面示意图。 图4A~4C绘示为本发明一较佳实施例中在薄膜电晶 体上覆盖另一绝缘层之制作流程的剖面示意图。 |
