| 主权项 |
1.一种硫化铼(IV)(ReS2)奈米管材料,其包括硫化铼(IV )同心层的中空圆柱体,此ReS2层间的距离为0.5~0.7奈 米,而ReS2每一层是由夹在两层硫原子之间的铼原 子层所构成。 2.如申请专利范围第1项所述的硫化铼(IV)奈米管材 料,其中奈米管的内径为2~500奈米。 3.如申请专利范围第1或2项所述的硫化铼(IV)奈米 管材料,其包含1~50个同心层。 4.如申请专利范围第1或2项所述的硫化铼(IV)奈米 管材料,其包括奈米管模板材料。 5.如申请专利范围第3项所述的硫化铼(IV)奈米管材 料,其包括奈米管模板材料。 6.一种制备如申请专利范围第1项所述之硫化铼(IV) 奈米管材料的方法,其包括以下的步骤: (a)提供奈米管模板材料; (b)以含铼溶液渗透模板材料; (c)将渗透的模板材料加以乾燥;以及 (d)以硫化剂处理来自步骤(c)的乾燥材料。 7.如申请专利范围第6项所述的方法,其包括碳做的 奈米管模板材料。 8.如申请专利范围第7项所述的方法,其包括单壁的 或多壁的碳奈米管模板材料。 9.如申请专利范围第6项所述的方法,其包括内径或 外径为2~500奈米的奈米管模板材料。 图式简单说明: 图1显示碳奈米管以及碳原子位置的示意图。 图2显示多壁之碳奈米管的高解析度穿透式电子显 微镜(HRTEM)影像。 图3显示由8~11层硫化铼(IV)所覆盖的多壁碳奈米管 。 图4显示由4~7层硫化铼(IV)所覆盖的多壁碳奈米管 。 图5显示由1~2层硫化铼(IV)所覆盖的多壁碳奈米管 。 |
