| 主权项 |
1.一种LED封装方法,系使用于SMD型的LED上,该方法包 含底下之步骤: 在支架上形成一高反射率合金层; 在该高反射率合金层上表面的一部份涂上高分子 接合剂,形成接合点,其中该高分子接合剂包含碳 、氢、氧根之环氧树酯加上酸无水物及胺其中之 一或之二;以及 将该晶片固定在该接合点上并烘烤。 2.如申请专利范围第1项所述之LED封装方法,其中该 高反射率合金层系自金、银、镍、锡组成之群组 中至少择一。 3.如申请专利范围第1项所述之LED封装方法,其中该 晶片具有至少一电极层,且该电极层之阳极和阴极 在该晶片之不同面。 4.如申请专利范围第1项所述之LED封装方法,其中该 晶片具有至少一电极层,且该电极层之阳极和阴极 在该晶片之同一面。 5.如申请专利范围第4项所述之LED封装方法,其中该 晶片更具有一晶片合金层,且利用具有该晶片合金 层的一面固定在该接合点上。 6.如申请专利范围第1项所述之LED封装方法,其中该 晶片之发展系统的材料系选择自GaN、AlGaN、AlN、 GaInN、GaAs、AlInGaP、AlGaInN、InN、GaInAsN和GaInPN所构 成的群组。 7.如申请专利范围第1项所述之LED封装方法,其中该 晶片合金层系选择自金、银、镍、锡以及金、银 、镍、锡所形成的合金所组成之群组。 8.如申请专利范围第1项所述之LED封装方法,其中该 晶片产生之光和光子能的范围落在紫外光和红外 光光谱之间。 9.如申请专利范围第1项所述之LED封装方法,其中该 烘烤的温度范围为120度到180度。 10.一种LED封装结构,使用于SMD型的LED上,包含: 一支架; 一高反射率合金层,位于该支架上且在该高反射率 合金层上表面的一部份涂有高分子接合剂以形成 接合点,其中该高分子接合剂包含碳、氢、氧根之 环氧树酯加上酸无水物及胺其中之一或之二; 一晶片,被固定在该接合点上。 11.如申请专利范围第10项所述之LED封装结构,其中 该高反射率合金层系自金、银、镍、锡组成之群 组中至少择一。 12.如申请专利范围第10项所述之LED封装结构,其中 该晶片具有至少一电极层,且该电极层之阳极和阴 极在该晶片之不同面。 13.如申请专利范围第10项所述之LED封装结构,其中 该晶片具有至少一电极层,且该电极层之阳极和阴 极在该晶片之同一面。 14.如申请专利范围第10项所述之LED封装结构,其中 该晶片更具有一晶片合金层,且利用具有该晶片合 金层的一面固定在该接合点上。 15.如申请专利范围第10项所述之LED封装结构,其中 该晶片之发展系统的材料系选择自GaN、AlGaN、AlN 、GaInN、GaAs、AlInGaP、AlGaInN、InN、GaInAsN和GaInPN所 构成的群组。 16.如申请专利范围第10项所述之LED封装结构,其中 该晶片合金层系选择自金、银、镍、锡以及金、 银、镍、锡所形成的合金所组成之群组。 17.如申请专利范围第10项所述之LED封装结构,其中 该晶片产生之光和光子能的范围落在紫外光和红 外光光谱之间。 18.如申请专利范围第10项所述之LED封装结构,其中 该烘烤的温度范围为120度到180度。 图式简单说明: 图1绘示了习知的SMD型LED封装方法; 图2绘示了根据本发明之SMD型LED封装方法的其中一 步骤; 图3绘示了根据本发明之SMD型LED封装方法的其中一 步骤; 图4绘示了根据本发明之SMD型LED封装方法的其中一 步骤; 图5绘示了根据本发明之SMD型LED封装方法完成封装 的封装结构; 图6绘示了根据本发明之LED封装方法完成封装的另 一封装结构; 图7绘示了本发明之LED封装方法、传统银胶封装方 法以及高温合金共熔封装方法之电性比较; 图8(a)、8(b)和8(c)绘示了依据本发明之LED封装方法 和习知LED封装方法的成果比较图; 图9~14绘示了根据本发明之LED封装方法完成封装的 LED。 |
