发明名称 具有无短路薄膜电晶体阵列之液晶显示器及其制造方法
摘要 液晶显示器的图素被安置呈三角图案,短路易发生于源极层7与汲极层8之间、以及/或闸极层2与储存电极层12之间,其中接触狭缝13形成于闸极绝缘层3中而介于闸极/储存电极层2/12与源极/汲极层7/8之间,而以这样的方式可打断残留非晶矽块14并且使残留金属块15在接触狭缝13中露出,而残留金属块在形成源极/汲极层图案的步骤中会被打断。
申请公布号 TWI281080 申请公布日期 2007.05.11
申请号 TW089109895 申请日期 2000.05.23
申请人 NEC液晶科技股份有限公司 发明人 田口尚之
分类号 G02F1/1365(2006.01) 主分类号 G02F1/1365(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种具有无短路薄膜电晶体阵列之液晶显示器, 包括: 基板(1);以及 图素阵列,在该基板(1)上呈三角图案排列,其包括: 薄膜电晶体阵列,具有:形成在该基板(1)主要表面 上之复数闸极层(2)的闸极图案、覆盖在该闸极图 案与该主要表面之剩余区域上的闸极绝缘层(3)、 形成在该闸极层(2)上方之闸极绝缘层(3)上而用来 提供传导通道的非晶矽层(4/5)、有复数形成在该 闸极绝缘层(3)上并且分别与该等相连之非晶矽层( 4/5)维持接触之源极层(7)的源极图案,以及有复数 形成在该闸极绝缘层(3)上并且分别与该等相连之 非晶矽层(4/5)维持接触之汲极层(8)的汲极图案,而 该等汲极层(8)藉由该闸极绝缘层(3)的第一区域而 分别与该等相连之源极层(7)以及该薄膜电晶体阵 列之相邻薄膜电晶体的源极层(7)隔开; 复数透明图素电极(9),形成在该闸极绝缘层(3)上以 及分别与该等源极层(7)连结; 储存电极层(12),形成本该主要表面上并且藉由该 闸极绝缘层(3)的第二区域而与该等闸极层(2)隔开; 以及 接触狭缝(6/13),形成于该闸极绝缘层(3)中并且选择 性地延伸穿过该等第一区域与第二区域以便使该 等第二区域下方之主要表面的部分露出,该接触狭 缝(6/13)被介电材料填满; 其中,上述接触狭缝之一系延伸穿过位于该等闸极 层之一与相邻的该等汲极层之一之间的该闸极绝 缘层的第一部分、位于相邻的该等汲极层之一与 相邻的该等储存电极层之一之间的该闸极绝缘层 的第二部分,以及位于上述第一部分的该闸极绝缘 层的一端与对向于上述第一部分的该端之上述第 二部分的该闸极绝缘层的另一端之间的该闸极绝 缘层的第三部分。 2.如申请专利范围第1项所述之具有无短路薄膜电 晶体阵列之液晶显示器,其中该等复数汲极层(8)的 部分分别平行于该等相邻薄膜电晶体之源极层(7) 的部分,并且由于残留非晶矽块(14)而易与该等汲 极层的部分短路。 3.如申请专利范围第2项所述之具有无短路薄膜电 晶体阵列之液晶显示器,其中该闸极绝缘层(3)由绝 缘材料所形成,并且将与该非晶矽一起被蚀刻。 4.如申请专利范围第3项所述之具有无短路薄膜电 晶体阵列之液晶显示器,其中该绝缘材料由氮化矽 与氧化矽所形成。 5.如申请专利范围第1项所述之具有无短路薄膜电 晶体阵列之液晶显示器,其中该等闸极绝缘层(2)的 部分分别平行于该等复数储存电极层(12)的部分, 并且由于残留传导材料块(15)而容易短路。 6.如申请专利范围第5项所述之具有无短路薄膜电 晶体阵列之液晶显示器,其中该等复数的原源极层 (7)与汲极层(8)由传导材料所形成,并且将与该等残 留传导材料块(15)一起被蚀刻。 7.如申请专利范围第6项所述之具有无短路薄膜电 晶体阵列之液晶显示器,其中该等传导材料可选自 铬、钼-钽以及铝钽之组合等类,而该等残留传导 材料块是铬。 8.如申请专利范围第1项所述之具有无短路薄膜电 晶体阵列之液晶显示器,其中该等复数闸极层(2)的 部分平行于该等复数汲极层(8),并且该等复数汲极 层(8)的部分平行于该等复数储存电极层(12)。 9.如申请专利范围第8项所述之具有无短路薄膜电 晶体阵列之液晶显示器,其中该等接触狭缝(13)的 其中之一延伸穿过位于该等闸极层(2)其中之一与 该等复数相邻汲极层(12)其中之一之间的该闸极绝 缘层(3)的部分、位于该等许相邻多汲极层(8)其中 之一与该等复数相邻储存电极层(12)其中之一之间 的该闸极绝缘层(3)的另一部份,以及位于该闸极绝 缘层部分的一端部与相对于该端部之该闸极绝缘 层另一部份的端部之间的该闸极绝缘层(3)的另一 部份。 10.一种具有无短路薄膜电晶体阵列之液晶显示器 的制造方法,包括下列步骤: (a)准备具有主要表面的基板(1); (b)将第一传导材料层在该主要表面形成复数闸极 层(2)与复数储存电极层(12)的图案; (c)在该等复数闸极层(2)与复数储存电极层(12)上覆 盖闸极绝缘层(3); (d)将非晶矽层在该闸极绝缘层(3)上形成复数非晶 矽层(4/5)的图案; (e)对该闸极绝缘层做选择性蚀刻以形成接触狭缝; (f)将第二传导材料层形成复数汲极层(8)与复数源 极层(7)的图案; (g)将透明材料层形成分别与该等复数源极层(7)接 触的图素电极(9)图案;以及 (h)完成该液晶显示器, 其特征在于: 与该等复数非晶矽层其中二个之间相连的残留非 晶矽块在步骤(e)会被打断,如果在该等复数闸极层 其中之一与相邻储存电极层之间有任何传导材料 块,该传导材料块会在该等接触狭缝其中之一露出 ,如果该传导材料块在该等接触狭缝其中之一露出 ; 其中该传导材料块会在步骤(f)中被分割; 其中该等接触狭缝(13)其中之一延伸穿过位于该等 闸极层其中之一与该等复数相邻汲极层其中之一 之间的该闸极绝缘层的部分、位于该等复数相邻 汲极层其中之一与该等复数相邻储存电极层其中 之一之间的该闸极绝缘层的另一部份,以及位于该 闸极绝缘层部分的一端部与相对于该端部之该闸 极绝缘层另一部份之端部之间的该闸极绝缘层(3) 的另一部份。 图式简单说明: 第1图表示第一习知技术的液晶显示器布局之一例 ; 第2图表示第1图中沿线F-F'的剖面图以及第一习知 技术之液晶显示器的结构; 第3图表示第1图中沿线G-G'的剖面图以及第一习知 技术之液晶显示器的结构; 第4图表示由第1图中虚线H所围绕之第一习知技术 液晶显示器的三角图案; 第5图表示遗留在第4图中所示之三角图案上的该 残留非晶矽块与残留合金块; 第6图表示第一习知技术的液晶显示器布局之另一 例; 第7图表示第6图中沿线I-I'的剖面图以及该另一例 的结构; 第8图表示第6图中沿线J-J'的剖面图以及该另一例 的结构; 第9图表示由第6图中虚线K所围绕之该另一例的三 角图案; 第10图表示遗留在第9图中所示之三角图案上的该 残留非晶矽块与残留合金块; 第11图表示第二习知技术的液晶显示器布局之一 例; 第12图表示第11图中沿线L-L'的剖面图以及第二习 知技术之液晶显示器的结构; 第13图表示第11图中沿线M-M'的剖面图以及第二习 知技术之液晶显示器的结构; 第14图表示由第11图中虚线N所围绕之薄膜电晶体 的三角图案; 第15图表示遗留在第14图中所示之三角图案上的该 残留非晶矽块与残留合金块; 第16图表示如本发明所述的液晶显示器布局之一 例; 第17图表示第16图中沿线A-A'的剖面图以及该液晶 显示器的结构; 第18图表示第16图中沿线B-B'的剖面图以及该液晶 显示器的结构; 第19图表示由虚线C所围绕之该液晶显示器的三角 图案; 第20图表示遗留在该三角图案上的该残留传导材 料块; 第21图表示如本发明所述的液晶显示器布局之另 一例; 第22图表示第21图中沿线D-D'的剖面图以及该液晶 显示器的结构;以及 第23图表示由虚线E所围绕之该液晶显示器的三角 图案。
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