| 主权项 |
1.一种发光二极体之制造方法,至少包括: 提供一发光二极体晶圆,其中该发光二极体晶圆至 少包括一基板以及一光电结构位于该基板上,且该 发光二极体晶圆具有复数个切割道设于该光电结 构中; 进行一第一切割制程,以形成复数个第一崩裂道分 别位在该些切割道中; 进行一第二切割制程,以在该基板之一表面中形成 复数个第二崩裂道分别对应于该些第一崩裂道,其 中每一该些第一崩裂道与对应之该些第二崩裂道 之间相隔一预设水平距离;以及 进行一崩裂制程,而施加一应力于相对应之该些第 一崩裂道与该些第二崩裂道之间,以将该发光二极 体晶圆分割成复数个发光二极体晶粒。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之制造 方法,进行该第一切割制程前,更至少包括形成一 缓冲层位于该光电结构以及该些切割道上。 3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体之制造 方法,于该第一切割制程与该第二切割制程之间, 更至少包括移除该缓冲层。 4.如申请专利范围第3项所述之发光二极体之制造 方法,于移除该缓冲层之步骤与该第二切割制程之 间,更至少包括进行一研磨步骤,以缩减该基板之 厚度。 5.如申请专利范围第2项所述之发光二极体之制造 方法,其中该缓冲层之材质为光阻、金属、氧化物 或其组合。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之制造 方法,其中每一该些第一崩裂道之深度小于该光电 结构之厚度。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之制造 方法,其中每一该些第一崩裂道之宽度小于每一该 些切割道之宽度。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之制造 方法,其中每一该些切割道之一宽度为实质35微米 。 9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体之制造 方法,其中每一该些第一崩裂道与对应之该些第二 崩裂道之间之该预设水平距离为实质30微米。 10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之制造 方法,其中该第一切割制程与该第二切割制程包括 利用一雷射切割技术、一钻石刀切割技术、一砂 轮切割技术或其组合。 11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之制造 方法,于该第二切割制程与该崩裂制程之间,更至 少包括贴覆一转换胶膜于该基板之该表面上。 12.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之制造 方法,于该崩裂制程中,更至少包括提供一劈刀于 相对应之该些第一崩裂道与该些第二崩裂道之间, 以施加该应力。 13.如申请专利范围第12项所述之发光二极体之制 造方法,其中该劈刀系自每一该些第一崩裂道垂直 向对应之该些第二崩裂道施加该应力。 图式简单说明: 第1图系绘示传统发光二极体晶圆之部分剖面图。 第2图系绘示传统发光二极体晶圆经分割后而形成 许多发光二极体晶粒的示意图。 第3图至第8图系绘示依照本发明一较佳实施例的 一种发光二极体之制程剖面图。 第9图系依照本发明一较佳实施例的一种发光二极 体晶粒之电子显微镜照片。 第10图系依照本发明另一较佳实施例的一种发光 二极体晶粒之电子显微镜照片。 |
