| 主权项 |
1.一种固态成像装置,其包含: 一光电转换区段,其系设置用于各像素且将入射于 一基板之一第一表面的光转换成信号电荷; 一电路区域,其读取由该光电转换区段累积之信号 电荷; 一多层膜,其包括一绝缘膜及一布线膜,该多层膜 系置于该基板中与该第一表面相对之一第二表面 上;及 一防透射膜,其至少置于该多层膜内之该布线膜和 该基板间。 2.如请求项1之固态成像装置,其中该电路区域包括 一放大器电晶体,其系用以放大及输出对应于在该 光电转换区段中累积之电荷量之像素信号, 一选择电晶体,其系用以选择一像素以自其读取信 号电荷,及 一重设电晶体,其系用以重设累积在该光电转换区 段中的电荷。 3.如请求项2之固态成像装置,其中该电路区域进一 步包括一传送电晶体,其系用以选择传送已累积在 该光电转换区段中之信号电荷至该放大器电晶体 的时序。 4.如请求项1之固态成像装置,其中该光电转换区段 包括: 一n型层,其累积作为信号电荷之电子,及 一p型层,其系设置在该n型层之一表面区域上,且其 累积电洞。 5.如请求项1之固态成像装置,其中防透射膜系一矽 化膜。 6.如请求项5之固态成像装置,其中该基板系一矽基 板,一由多晶矽膜制成之闸极电极系置于该矽基板 上,其间具有一闸极绝缘膜,且该矽化膜系藉由将 一金属膜置放在该矽基板和该多晶矽膜上且执行 热处理而形成。 7.如请求项1之固态成像装置,其中该防透射膜系一 光遮蔽金属膜或合金膜。 8.如请求项7之固态成像装置,其中该光遮蔽金属膜 或合金膜系形成在一与该光电转换区段之光接收 区域对应的图案中。 9.如请求项1之固态成像装置,其中该防透射膜系一 吸收光的层间膜。 10.一种固态成像装置,其包含: 一光电转换区段,其系设置用于各像素且将入射于 一基板之一第一表面的光转换成信号电荷; 一多层膜,其包括一绝缘膜及一布线膜,该多层膜 系置于该基板中与该第一表面相对之一第二表面 上;及 一防透射膜,其系置于该基板之该第二表面上,且 其位置比该布线膜更靠近该基板。 11.如请求项10之固态成像装置,其中该防透射膜系 一反射膜。 12.一种固态成像设备,其包括: 一光电转换区段,其系设置用于各像素,且将入射 于一基板之一第一表面的光转换成信号电荷; 一多层膜,其包括一绝缘膜及一布线膜,该多层膜 系置于该基板中与该第一表面相对之一第二表面 上; 一防透射膜,其系置于该基板之该第二表面上,且 其位置比该布线膜更靠近该基板;及 一信号处理部分,其根据该等信号电荷处理影像信 号。 图式简单说明: 图1系显示以往固态成像装置结构的范例之断面图 ; 图2系显示根据本发明范例1之固态成像装置结构 的范例之断面图; 图3系显示图2所示固态成像装置中之一像素电晶 体电路之组态的范例之电路图; 图4系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图5系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图6系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图7系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图8系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图9系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图10系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图11系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图12系显示用于制造图2所示固态成像装置之方法 的一特定范例之断面图; 图13系显示根据本发明范例2之一固态成像装置的 结构之范例的断面图; 图14系显示根据本发明范例3之一固态成像装置之 结构的范例之断面图;及 图15系本发明应用于一固态成像设备的方块图。 |
