| 主权项 |
1.一种显像方法,其特征在于:在含有-甲基苯乙 烯系化合物与-氯丙烯酸酯系化合物之共聚物为 底材树脂的正型放射线光阻显像中,采用可具烷氧 基之碳数3至8的羧酸酯与碳数3至8之二羧酸酯中仅 选择1种的有机溶剂,为显像液者。 2.如申请专利范围第1项之显像方法,其中该显像液 系为由丙二醇单甲醚醋酸酯、及乙基-3-乙氧基丙 酸酯中仅选择1种的有机溶剂者。 3.一种图案形成方法,其特征在于:采用含有-甲 基苯乙烯系化合物与-氯丙烯酸酯系化合物之共 聚物为底材树脂之正型放射线光阻的图案形成方 法中,采用由可具烷氧基之碳数3至8的羧酸酯、与 碳数3至8之二羧酸酯中仅选择1种的有机溶剂,为显 像液者。 4.如申请专利范围第3项之图案形成方法,其中该显 像液系为由丙二醇单甲醚醋酸酯、及乙基-3-乙氧 基丙酸酯中仅选择1种的有机溶剂者。 5.如申请专利范围第3项之图案形成方法,系依照重 影法的图案形成方法。 6.如申请专利范围第4项之图案形成方法,系依照重 影法的图案形成方法。 7.如申请专利范围第3项之图案形成方法,系形成光 罩图案。 8.如申请专利范围第4项之图案形成方法,系形成光 罩图案。 9.一种半导体装置之制造方法,系依照于半导体基 板上设置光阻膜的步骤、将光阻进行图案曝光的 步骤、与将曝光后的光阻进行显像处理的步骤,而 将图案形成于半导体装置的制造方法;其中该光阻 系采用含有-甲基苯乙烯系化合物与-氯丙烯 酸酯系化合物之共聚物为底材树脂的正型放射线 光阻,而该显像液系采用由可具烷氧基之碳数3至8 的羧酸酯、与碳数3至8之二羧酸酯中仅选择1种的 有机溶剂者。 10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法 ,其中该显像液系为由丙二醇单甲醚醋酸酯、及乙 基-3-乙氧基丙酸酯中仅选择1种的有机溶剂者。 |
