| 主权项 |
1.一种包括一单元像素之阵列的固态成像装置,各 单元像素包含: 一光电转换元件;及 一用于放大一信号之放大器电晶体,该信号系对应 于一透过该光电转换元件之光电转换所获得的电 荷,其中 该放大器电晶体系一埋入式通道MOS电晶体。 2.如请求项1之固态成像装置,其中当该放大器电晶 体系一第一导电率类型之MOS电晶体时,该电晶体之 该闸极电极包含一第二导电率类型的多晶矽。 3.如请求项1之固态成像装置,其中该放大器电晶体 具有一源极随耦器组态。 4.如请求项1之固态成像装置,其中该放大器电晶体 系一第一导电率类型MOS电晶体,且该电晶体之通道 区域系用一第一导电率类型杂质掺杂。 5.如请求项4之固态成像装置,其中: 使用至少两种具有不同扩散系数之第一导电率类 型杂质,且 在一靠近该电晶体之该闸极绝缘膜的区域中,具有 一较低扩散系数之该杂质的分布,使得该杂质之密 度高于具有一较高扩散系数的其他杂质。 6.如请求项4之固态成像装置,其中: 使用至少两种具有不同扩散系数之第一导电率类 型杂质,且 在一远离该电晶体之闸极绝缘膜的区域中,具有一 较低扩散系数之该杂质的分布,使得该杂质之密度 高于具有一较高扩散系数的其他杂质。 7.如请求项1之固态成像装置,其中: 各单元像素进一步包括: 一传送电晶体,其系用于将透过该光电转换元件之 光电转换所获得的电荷传送至一浮动扩散区域;及 一重设电晶体,其系用于重设该浮动扩散区域之电 位。 8.如请求项1之固态成像装置,其中: 各单元像素进一步包括: 一传送电晶体,其系用于将透过该光电转换元件之 光电转换所获得的电荷传送至一浮动扩散区域; 一重设电晶体,其系用于重设该浮动扩散区域之电 位;及 一选择电晶体,其与该放大器电晶体串联连接,用 于选择该像素。 9.一种包括一单元像素之阵列及一信号处理部分 的固态成像设备,其处理来自该单元像素之阵列的 影像信号,各单元像素包含: 一光电转换元件;及 一用于放大一信号之放大器电晶体,该信号系对应 于透过该光电转换元件之光电转换所获得的电荷, 其中 该放大器电晶体系一埋入式通道MOS电晶体。 图式简单说明: 图1系显示依据本发明一具体实施例之MOS影像感应 器的结构之方块图; 图2系各单元像素之电路组态的电路图; 图3系各单元像素之另一电路组态的电路图; 图4系埋入式通道NMOS电晶体之结构的断面图; 图5显示随着一般表面通道NMOS电晶体及一般埋入 式通道NMOS电晶体之闸极通道区域深度变化之电位 图形; 图6显示在埋入式通道NMOS电晶体及表面通道NMOS电 晶体间之1/f杂讯的比较范例; 图7显示当源极随耦器操作未执行时流动之电子流 的特征; 图8显示当源极随耦器操作执行时流动的电子流特 征; 图9显示当一表面通道NMOS电晶体系用作具有源极 随耦器组态之放大器电晶体时获得之输入输出特 征,及当一埋入式通道NMOS电晶体系用作具有源极 随耦器组态之放大器电晶体时获得之输入输出特 征;及 图10显示当一含有磷作为埋入式通道杂质的埋入 式通道NMOS电晶体系用作具有源极随耦器组态的放 大器电晶体时获得之输入输出特征、当一含有砷 作为通道杂质之埋入式通道NMOS电晶体系用作具有 源极随耦器组态之放大器电晶体时获得之输入输 出特征、及当一含有磷和砷作为通道杂质之埋入 式通道NMOS电晶体系用作具有源极随耦器组态之放 大器电晶体时获得之输入输出特征; 图11显示本发明在一固态成像设备之应用。 |
