| 主权项 |
1.一种高分子化合物,具有103至108之聚苯乙烯折合 数量平均分子量,且包括至少一选自式(1)或式(2)所 示重复单元之基团的重复单元, 式中,Ar1、Ar2、Ar3及Ar4各自独立地表示伸芳基或二 价杂环基;E1、E2及E3各自独立地表示下列之芳基(A) 或杂环基(B);a及b各自独立地表示0或1,且0<=a+b<=1, 芳基(A):具有三个或三个以上之取代基的芳基,该 等取代基系选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基 、芳烯基、芳炔基、胺基、经取代之胺基、矽烷 基、经取代之矽烷基、矽烷氧基、经取代之矽烷 氧基、一价杂环基、或卤原子, 杂环基(B):具有一个或一个以上之取代基的一价杂 环基,该等取代基系选自烷基、烷氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳 烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、经取代之胺基 、矽烷基、经取代之矽烷基、矽烷氧基、经取代 之矽烷氧基、一价杂环基、或卤原子,且取代基及 杂环的杂原子之总个数为三个或三个以上; 式中,Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10及Ar11各自独立地 表示伸芳基或二价杂环基;E4、E5、E6、E7、E8及E9各 自独立地表示芳基或一价杂环基;1、m及n各自独立 地表示0至2之整数;o及p各自独立地表示0或1之整数 ,且1+m+n+o+p为2或2以上。 2.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,该 芳基(A)于经由下述(C)所选出之碳原子上具有取代 基,(C):以胺基取代芳基(A)之游离键并以氢原子取 代芳基(A)之所有取代基而由芳基(A)衍生的芳胺化 合物,系供计算之用;任意选出经由属半经验分子 轨道法之AM1法算出之该芳胺化合物的最高占据分 子轨道(HOMO)中之一者;仅计算由氢原子键结之碳原 子的HOMO之原子轨道系数之总平方値,且依大至小 之次序曲总平方値高的碳原子中选出三个或三个 以上之碳原子。 3.如申请专利范围第1或2项之高分子化合物,其中, 该芳基(A)为具有三个或三个以上之取代基的苯基 、基、或基。 4.如申请专利范围第1或2项中任一项之高分子化合 物,其中,该芳基(A)为下式(3)所示之基团 式中,Re、Rf及Rg各自独立地表示烷基、烷氧基、烷 硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧 基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、经取代 之胺基、矽烷基、经取代之矽烷基、矽烷氧基、 经取代之矽烷氧基、一价杂环基、或卤原子。 5.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,式(2 )之Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10及Ar11各自独立地表 示下式(2P)所示之基团 式中,Ra、Rb、Rc及Rd各自独立地表示氢原子、烷基 、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳 烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 胺基、经取代之胺基、矽烷基、经取代之矽烷基 、矽烷氧基、经取代之矽烷氧基、卤原子、醯基 、醯氧基、亚胺基、醯胺基、醯亚胺基、一价杂 环基、羧基、经取代之羧基、或氰基;q表示1至3之 整数;当q为2或2以上时,复数个Ra、Rb、Rc、或Rd可分 别为相同或不同;Ra与Rb,以及Rc与Rd可分别与该苯环 的碳原子连结一起而形成芳环。 6.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,式(2 )重复单元中之E4、E5、E6、E7、E8及E9各自独立地表 示下述之芳基(A')或杂环基(B'), 芳基(A'):具有三个或三个以上之取代基的芳基,该 等取代基系选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基 、芳烯基、芳炔基、胺基、经取代之胺基、矽烷 基、经取代之矽烷基、矽烷氧基、经取代之矽烷 氧基、一价杂环基、或卤原子,杂环基(B'):具有一 个或一个以上之取代基的一价杂环基,该等取代基 系选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基 、芳炔基、胺基、经取代之胺基、矽烷基、经取 代之矽烷基、矽烷氧基、经取代之矽烷氧基、一 价杂环基、或卤原子,且取代基及杂环的杂原子之 总个数为三个或三个以上。 7.如申请专利范围第6项之高分子化合物,其中,该 芳基(A')于经由下述(C')所选出之碳原子上具有取 代基,(C'):以胺基取代芳基(A')之游离键并以氢原子 取代芳基(A')之所有取代基而由芳基(A')衍生的芳 胺化合物,系供计算之用;任意选出经由属半经验 分子轨道法之AM1法算出之芳胺化合物的最高占据 分子轨道(HOMO)中之一者;仅计算由氢原子键结之碳 原子的HOMO之原子轨道系数之总平方値,且依大至 小之次序由总平方値高的碳原子中选出三个或三 个以上之碳原子。 8.如申请专利范围第6或7项之高分子化合物,其中, 该芳基(A')为具有三个或三个以上之取代基的苯基 、基、或基。 9.如申请专利范围第6或7项中任一项之高分子化合 物,其中,该芳基(A')为上式(3)所示者。 10.如申请专利范围第4项之高分子化合物,其中,Re 及Rf各自独立地表示具有3个或3个以下之碳原子的 烷基、烷氧基或烷硫基,而Rg表示具有3个至20个碳 原子的烷基、烷氧基或烷硫基。 11.如申请专利范围第9项之高分子化合物,其中,Re 及Rf各自独立地表示具有3个或3个以下之碳原子的 烷基、烷氧基或烷硫基,而Rg表示具有3个或20个碳 原子的烷基、烷氧基或烷硫基。 12.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,该 高分子化合物复包括下式(4)、(5)、(6)、或(7)所示 之重复单元, -Ar12- (4) -Ar12-X1-(Ar13-X2)c-Ar14- (5) -Ar12-X2- (6) -X2- (7) 式中,Ar12、Ar13及Ar14各自独立地表示伸芳基、二价 杂环基、或具有金属错合物结构之二价基团;X1表 示-CR2=CR3-、-C≡C-、或-(SiR5R6)d-:X2表示-CR2=CR3-、-C ≡C-、-N(R4)-、或-(SiR5R6)d-;R2及R3各自独立地表示氢 原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、经取代 之羧基、或氰基;R4、R5及R6各自独立地表示氢原子 、烷基、芳基、一价杂环基、或芳烷基;c表示0至2 之整数;以及d表示1至12之整数。 13.一种高分子组成物,包括至少一选自电洞传输材 料、电子传输材料、发光材料的材料,以及至少申 请专利范围第1至12项中任一项之高分子化合物。 14.一种油墨组成物,包含申请专利范围第1至12项中 任一项之高分子化合物。 15.如申请专利范围第14项之油墨组成物,其中,该黏 度于25℃时为1至20 mPas。 16.一种发光薄膜,包含申请专利范围第1至12项中任 一项之高分子化合物。 17.一种导电薄膜,包含申请专利范围第1至12项中任 一项之高分子化合物。 18.一种有机半导体薄膜,包含申请专利范围第1至12 项中任一项之高分子化合物。 19.一种高分子发光装置,该装置于由阳极及阴极所 组成之电极间具有一含申请专利范围第1至12项中 任一项的高分子化合物之层。 20.如申请专利范围第19项之高分子发光装置,其中, 该层为发光层。 21.如申请专利范围第20项之高分子发光装置,其中, 该发光层复含有电洞传输材料、电子传输材料、 或发光材料。 22.一种平面光源,包括申请专利范围第19至21项中 任一项之高分子发光装置。 23.一种分段式显示器,包括申请专利范围第19至21 项中任一项之高分子发光装置。 24.一种点矩阵式显示器,包括申请专利范围第19至 21项中任一项之高分子发光装置。 25.一种液晶显示器,包括申请专利范围第19至21项 中任一项之高分子发光装置作为背光源。 |
