发明名称 奈米金属粒之制造方法
摘要 一种奈米金属粒之制造方法,包括下列步骤:A.铝片表面处理;B.在铝片两侧表面预成凹槽;C.阳极氧化处理;D.除去铝片上之氧化铝膜片;E.重复C.D步骤N次;F.第N+1次阳极氧化处理;G.贯通氧化铝膜片;H.氧化铝膜片移至基板;I.成型奈米金属粒;J.除去氧化铝膜片;藉此制造奈米金属粒者。
申请公布号 TWI280944 申请公布日期 2007.05.11
申请号 TW094131561 申请日期 2005.09.14
申请人 远东技术学院 发明人 丁永强
分类号 B82B3/00(2006.01);B22F9/00(2006.01) 主分类号 B82B3/00(2006.01)
代理机构 代理人 李文祯 台南市中西区府前路2段239号2楼
主权项 1.一种具有奈米金属粒之制造方法,包括下列步骤: A.铝片表面处理 清洁铝片表面; B.在铝片两侧表面预成凹槽 在铝片两侧表面上预先设计好的位置形成凹槽,铝 片表面上之每一凹槽均与铝片另一表面之对应凹 槽相对齐; C.阳极氧化处理; 将上述铝片置于电解液中进行阳极氧化处理,使金 属铝片之凹槽加深,且金属铝片在其两侧表面依上 述凹槽位置形成具有孔洞之多孔性氧化铝膜片; D.除去铝片上之氧化铝膜片 以化学药剂将铝片表面之氧化铝除去,余留具有较 深凹槽之铝片; E.重复C、D步骤N次; F.第N+1次阳极氧化处理 金属铝片在其两侧表面形成多孔性氧化铝膜片,该 膜片依前述凹槽位置而布列有规则性之奈米孔洞; G.贯通氧化铝膜片 利用化学药剂将多孔性氧化铝膜片中尚未完全相 通之奈米孔洞予以贯通; H.氧化铝膜片移至基板 I.成型奈米金属粒 沉积金属材料于上述氧化铝膜片之奈米孔洞内 J.除去氧化铝膜片 奈米金属粒留置于基板上。 2.如申请专利范围第1项所述奈米金属粒之制造方 法,其中上述B步骤中,系利用e-beam, x-ray, ion-beam, etching、压模等方式,在铝片表面形成微小凹槽。 3.如申请专利范围第1项所述奈米金属粒之制造方 法,其中上述H步骤中,基板之材料系为玻璃、矽晶 片、氧化铝。 4.如申请专利范围第1项所述奈米金属粒之制造方 法,其中上述I步骤中,系以蒸镀方式将金属材料沉 积于氧化铝膜片之奈米孔洞内。 5.如申请专利范围第1项所述奈米金属粒之制造方 法,其中上述J步骤中,进一步将基板除去,而成为复 数个独立之奈米金属粒。 图式简单说明: 第一图系本发明之流程图。 第二图系本发明之铝片凹槽成型示意图。 第三图系本发明之阳极氧化处理示意图。 第四图系本发明之铝片经多次阳极氧化处理与除 去氧化铝膜片后之示意图。 第五图系本发明之铝片经最后一次阳极氧化处理 后之氧化铝膜片示意图。 第六图系本发明之氧化铝膜片之孔洞贯穿示意图 。 第七图系本发明之氧化铝膜片移至基板之示意图 。 第八图系本发明之奈米金属粒成型于基板上之示 意图。 第九图系本发明之氧化铝膜片除去示意图。
地址 台南县新市乡中华路49号